中国电子科技集团公司第五十八研究所张需获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种高台阶堆叠芯片缝隙保护的晶圆级扇出型封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120149182B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510283916.0，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种高台阶堆叠芯片缝隙保护的晶圆级扇出型封装方法是由张需;赵心然;夏晨辉;刘书利;王刚;王成迁设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高台阶堆叠芯片缝隙保护的晶圆级扇出型封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高台阶堆叠芯片缝隙保护的晶圆级扇出型封装方法，包括如下步骤：堆叠芯片前处理；玻璃载板与TMV芯片的制备；组件焊接组装；塑封与解键合；封装体植球。本发明封装方法得到的结构是利用3D打印缝隙密封、TMV双面布线、RDL‑first、激光植球等先进封装工艺与传统扇出型再布线、网板植球等工艺相结合，解决了高台阶堆叠芯片的涂胶不均匀与植球平面缺失问题，采用RDL‑first工艺，规避高台阶表面无法旋涂光刻胶的难题，提升布线精度，保证堆叠芯片射频性能的同时，降低封装工艺难度，有效减小再布线过程对堆叠芯片的热冲击，最终封装体在30GHz高频下实现低损耗。
本发明授权一种高台阶堆叠芯片缝隙保护的晶圆级扇出型封装方法在权利要求书中公布了：1.一种高台阶堆叠芯片缝隙保护的晶圆级扇出型封装方法，所述晶圆级扇出型封装方法应用于高频射频器件的封装，且工艺兼容性强，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S11：堆叠芯片前处理，对堆叠芯片的缝隙进行密封处理以形成空腔，并通过激光植球技术将焊球植放至堆叠芯片的焊盘上； 步骤S12：在玻璃载板上涂覆临时键合层并完成再布线层的制备，同时制备具有双面再布线层的TMV芯片，并在其底部植放焊球； 步骤S13：将所述TMV芯片通过底部焊球焊接至玻璃载板的再布线层上，并将堆叠芯片通过焊球倒装焊接至TMV芯片的顶部； 步骤S14：对焊接后的组件进行晶圆级塑封形成重构圆片，随后通过激光解键合剥离玻璃载板； 步骤S15：对塑封后的重构圆片暴露的再布线层焊盘进行植球，完成封装体的扇出结构。
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