清华大学林元华获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利一种高介电常数低介电损耗的钛酸钙基陶瓷及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120157471B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510441216.X，技术领域涉及：C04B35/465；该发明授权一种高介电常数低介电损耗的钛酸钙基陶瓷及其制备方法和应用是由林元华;蔡婧涵设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高介电常数低介电损耗的钛酸钙基陶瓷及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及多功能电子陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种高介电常数低介电损耗的钛酸钙基陶瓷及其制备方法和应用。所述钛酸钙基陶瓷的化学式为ATi1‑2xNbxErxO3，其中，A为Ca、Ca0.5Sr0.5、Na13Sm13Ca13、Na0.25Sm0.25Ca0.25Sr0.25中的一种，0＜x≤0.02。该钛酸钙基陶瓷具有高的介电常数，同时保持了低的介电损耗，能够更大限度地满足使用需要，其在25℃、1kHz下的介电常数最高可达2.37×105，介电损耗最低仅为0.5％。
本发明授权一种高介电常数低介电损耗的钛酸钙基陶瓷及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种高介电常数低介电损耗的钛酸钙基陶瓷，其特征在于，所述钛酸钙基陶瓷的化学式为ATi1-2xNbxErxO3，其中，A为Ca、Ca0.5Sr0.5、Na13Sm13Ca13、Na0.25Sm0.25Ca0.25Sr0.25中的一种，0＜x≤0.02； 所述钛酸钙基陶瓷的制备方法包括以下步骤： 将钙源、钛源、铌源、铒源、可选的锶源、可选的钠源、可选的钐源混合，进行煅烧处理，得到陶瓷粉体； 对所述陶瓷粉体进行成型处理，得到陶瓷生坯； 对所述陶瓷生坯进行烧结处理，得到所述钛酸钙基陶瓷； 所述煅烧处理的温度为1100℃-1200℃； 所述烧结处理的温度为1400℃-1500℃。
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