上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司张健澄获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利一种光掩模修补方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120161668B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311733344.9，技术领域涉及：G03F1/72；该发明授权一种光掩模修补方法及装置是由张健澄设计研发完成，并于2023-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光掩模修补方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及光掩模生产领域，特别是涉及一种光掩模修补方法及装置，通过扫描待处理光掩模，得到光掩模图像信息；根据所述光掩模图像信息，确定风险颗粒缺陷；根据预设的寻址规则，确定各个所述风险颗粒缺陷对应的蚀刻区域；所述蚀刻区域位于所述风险颗粒缺陷相邻的填充材料图形中；对所述蚀刻区域进行刻蚀，得到收容豁口；利用探针组件将所述风险颗粒缺陷刮至所述收容豁口内；对所述收容豁口进行修补，得到修复光掩模。本发明在风险颗粒缺陷附近的填充材料上挖开收容豁口，并将风险颗粒缺陷转移至收容豁口中填埋，避免了对所述风险颗粒缺陷破坏性的暴力冲击，可控性强，能很好地保持填充材料图形的完整性，大大提升对光掩模的修复效率与成品良率。
本发明授权一种光掩模修补方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种光掩模修补方法，其特征在于，包括： 扫描待处理光掩模，得到光掩模图像信息； 根据所述光掩模图像信息，确定风险颗粒缺陷； 根据预设的寻址规则，确定各个所述风险颗粒缺陷对应的蚀刻区域；所述蚀刻区域位于所述风险颗粒缺陷相邻的填充材料图形中； 对所述蚀刻区域进行刻蚀，得到收容豁口； 利用探针组件将所述风险颗粒缺陷刮至所述收容豁口内； 对所述收容豁口进行修补，得到修复光掩模。
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