山东大学郁万成获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种在碳化硅衬底上外延均匀石墨烯的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120174461B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510426869.0，技术领域涉及：C30B1/02；该发明授权一种在碳化硅衬底上外延均匀石墨烯的方法是由郁万成;姜晓呈;陈秀芳;胡小波;徐现刚设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在碳化硅衬底上外延均匀石墨烯的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种在碳化硅衬底上外延均匀石墨烯的方法，包括如下步骤：1碳化硅衬底首先经过氢气刻蚀去除衬底表面的加工缺陷，形成规则的碳化硅台阶结构；2碳化硅衬底在氩气中进行两步退火，其中第一步退火为在1530~1630℃下保温0.5~1h，压力保持在800~900mbar；第二步退火为在1650~1750℃下保温0.5~1h，压力保持在800~900mbar。相比于常规直接加热至石墨烯生长温度，本发明通过分段控制石墨烯生长过程中的温度稳定情况，表面台阶形貌得到明显改善，成功抑制了生长过程中的不规则台阶聚并，稳定均匀的形貌更有助于整个衬底石墨烯的层数均匀性。
本发明授权一种在碳化硅衬底上外延均匀石墨烯的方法在权利要求书中公布了：1.一种在碳化硅衬底上外延均匀石墨烯的方法，其特征在于，包括如下步骤： 1碳化硅衬底首先经过氢气刻蚀去除衬底表面的加工缺陷，形成规则的碳化硅台阶结构； 碳化硅衬底的厚度为350~500μm，表面粗糙度0.2nm，平整度10μm； 碳化硅衬底的生长Si面朝下放置； 2碳化硅衬底在氩气中进行两步退火，其中第一步退火为在1530~1630℃下保温0.5~1h，压力保持在800~900mbar，通过第一步退火在碳化硅衬底表面形成均匀缓冲层；第二步退火为在1650~1750℃下保温0.5~1h，压力保持在800~900mbar，通过第二步退火，衬底表面会进行近平衡态分解石墨化，从而获得石墨烯。
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