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龙图腾网获悉江苏富乐华功率半导体研究院有限公司;江苏富乐华半导体科技股份有限公司申请的专利一种基于AMB工艺的双层陶瓷基板的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120261296B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510424518.6，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种基于AMB工艺的双层陶瓷基板的制备方法是由王斌;唐冬梅;管鹏飞设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于AMB工艺的双层陶瓷基板的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于AMB工艺的双层陶瓷基板的制备方法，涉及半导体技术领域；具体步骤包括：对陶瓷层进行微孔加工得到定位孔和导通孔后，清洗陶瓷层并去除孔边缘熔渣进行单面沉积金属层，沉积完成后进行丝网印刷填孔，填孔完成后烘干，在两片烘干后的陶瓷层之间放置金属箔，使金属箔的两侧均与两片陶瓷层上单面沉积的金属层接触，并利用定位孔进行对位装叠，通过真空钎焊形成一体化结构，得到双面陶瓷基板。其中金属层的成分为钛、锆、钨、铜、镍、银中的一种或多种组合；金属箔为压延得到的钨箔、钼箔、钨钼箔中的一种；填孔的浆料包括不熔金属粉、熔融金属粉以及有机载体。

本发明授权一种基于AMB工艺的双层陶瓷基板的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于AMB工艺的双层陶瓷基板的制备方法，其特征在于，具体包括以下制备步骤： 步骤1：对陶瓷层进行微孔加工得到定位孔和导通孔后，清洗陶瓷层并去除孔边缘熔渣后，进行单面沉积金属层； 步骤2：对沉积完成后的陶瓷层进行丝网印刷填孔，填孔完成后烘干； 步骤3：取两片烘干后的陶瓷层，在两片陶瓷层之间放置金属箔，使金属箔的两侧均与两片陶瓷层上单面沉积的金属层接触，利用定位孔进行对位装叠； 步骤4：对装叠好的双层陶瓷基板进行高温烧结，通过真空钎焊形成一体化结构，得到双面陶瓷基板； 导通孔和定位孔通过激光加工得到，其中定位孔的孔径为0.8-1.2mm，导通孔的孔径为0.08-0.13mm；丝网印刷填孔的浆料为钨浆、钼浆、钨钼浆、钨铜浆、钼铜浆、钨钼铜浆中的一种； 浆料按照质量百分数包括：85-90%金属粉和10-15%有机载体；金属粉按照质量百分数包括70-95%不熔金属粉和5-30%熔融金属粉，不熔金属粉为钨粉、钼粉、钨钼粉中的一种；熔融金属粉为铜粉、银粉、镍粉中的一种或多种组合；有机载体包括65-82%松油醇、5-15%乙基纤维素、2-4%丙烯酸树脂、2-4%氢化蓖麻油、2-6%硅烷偶联剂、2-5%柠檬酸三丁酯和0.5-1.5%分散剂。

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