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龙图腾网获悉北京卫星制造厂有限公司申请的专利一种GaN基功率器件动态导通电阻测试电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120275793B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510384686.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种GaN基功率器件动态导通电阻测试电路是由杨冬平;薛文娟;皇志启;纪明明;吴建超;万成安;樊泽凯;支树播;李嘉丽;王建萍;石俊彪;梁祥辉设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN基功率器件动态导通电阻测试电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN基功率器件动态导通电阻测试电路，包括：供电电路为待测功率器件提供电压；驱动电路为待测功率器件提供栅极驱动；瞬态抑制电路预防待测功率器件栅极过压并提供静电泄放通道；钳位电路捕捉待测功率器件由关断到开通的漏极电压变化，将器件导通电压测试误差控制在所需范围；功率电路控制流过待测功率器件的电流大小；续流回路为功率电路提供续流通道；电流采样电路对流过待测功率器件的电流进行采样，获取导通电流。本发明提出的技术方案能够准确测量GaN功率器件的动态导通电阻，为GaN功率器件设计、制备及应用提供指导。

本发明授权一种GaN基功率器件动态导通电阻测试电路在权利要求书中公布了：1.一种GaN基功率器件动态导通电阻测试电路，其特征在于，包括： 供电电路，为待测功率器件提供电压； 驱动电路，为待测功率器件提供栅极驱动；包括驱动芯片U1、电阻R1、电阻R2和电阻R3，电阻R1一端与驱动芯片U1的高端输出相连，另一端与电阻R2、电阻R3、瞬态抑制电路的二极管Z2及待测功率器件M1栅极相连，电阻R2一端与驱动芯片U1的低端输出相连，另一端与电阻R1、电阻R3、瞬态抑制电路的二极管Z2及待测功率器件M1栅极相连，电阻R3与瞬态抑制电路的二极管Z2并联，两端分别与待测功率器件M1栅极和驱动芯片U1接地端相连； 瞬态抑制电路，预防待测功率器件栅极过压并提供静电泄放通道；包括二极管Z2，二极管Z2与电阻R3并联，分别连接待测功率器件M1栅极和源极，其中源极与驱动芯片U1的接地端相连； 钳位电路，捕捉待测功率器件由关断到开通的漏极电压变化，将器件导通电压测试误差控制在所需范围；包括二极管D2、二极管D3、稳压二极管Z1、电容C3、电容C4、限流电阻R5和分压电阻R6，二极管D2与二极管D3为反并联，二极管D2阳极与续流二极管D1阳极相连，二极管D2阴极与限流电阻R5一端及稳压二极管Z1阴极相连，二极管D3阳极与限流电阻R5一端相连，阴极与续流二极管D1阳极相连，稳压二极管Z1阴极与二极管D3阳极相连，稳压二极管Z1阳极与待测功率器件M1源极相连，电容C3、电容C4和分压电阻R6并联，一端与限流电阻R5相连，另一端与待测功率器件M1源极相连； 功率电路，控制流过待测功率器件的电流大小；包括限流电阻R4、电感L1，限流电阻R4一端与电感L1串联，一端与供电电源正极相连，电感L1一端与限流电阻R4相连，一端与待测器件漏极及二极管D3阴极相连； 续流回路，为功率电路提供续流通道；包括续流二极管D1，续流二极管D1阴极与供电电源正极相连，阳极与二极管D2阳极相连，在待测功率器件关断期间为功率电路的电感L1电流提供续流通道； 电流采样电路，对流过待测功率器件的电流进行采样，获取导通电流；包括分流器Rs，连接于待测功率器件M1输出端与供电电路之间； 稳压二极管Z1两端为电压采集端，测量待测功率器件M1的导通电压与二极管D3电压之和；分流器Rs两端为电流采集端，测量流过待测功率器件的导通电流。

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