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龙图腾网获悉深圳和美精艺半导体科技股份有限公司申请的专利DDR5产品的开槽方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120321883B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510805991.9，技术领域涉及：H05K3/00；该发明授权DDR5产品的开槽方法是由何福权设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本DDR5产品的开槽方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种DDR5产品的开槽方法，涉及封装基板技术领域。该方法包括：获取覆铜基板，并对覆铜基板进行钻孔；在覆铜基板的表面制作线路和引线；在覆铜基板的表面设置阻焊层，并对阻焊层进行开窗，露出焊盘和引线；在阻焊层的表面贴附感光干膜，并对感光干膜进行曝光和显影，露出焊盘，盖住引线；对焊盘电镀软金层；去除感光干膜，并通过碱性蚀刻去除引线；采用左旋双刃刀，对覆铜基板进行分层铣槽，形成开槽；对覆铜基板进行铣板，形成成型小板；对成型小板进行清洗、检测和包装。根据本发明实施例的方法，能够提升开槽质量，避免产生毛刺或基板开裂等问题。

本发明授权DDR5产品的开槽方法在权利要求书中公布了：1.一种DDR5产品的开槽方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取覆铜基板，并对所述覆铜基板进行钻孔； 在所述覆铜基板的表面制作线路和引线； 在所述覆铜基板的表面设置阻焊层，并对所述阻焊层进行开窗，露出焊盘和所述引线； 在所述阻焊层的表面贴附感光干膜，并对所述感光干膜进行曝光和显影，露出所述焊盘，盖住所述引线； 对所述焊盘电镀软金层； 去除所述感光干膜，并通过碱性蚀刻去除所述引线； 采用左旋双刃刀，对所述覆铜基板进行分层铣槽，形成开槽； 对所述覆铜基板进行铣板，形成成型小板； 对所述成型小板进行清洗、检测和包装； 所述采用左旋双刃刀，对所述覆铜基板进行分层铣槽，形成开槽，包括： 采用所述左旋双刃刀，以第一转速和第一铣速对所述覆铜基板进行顺时针的分层预铣槽； 完成分层预铣槽后，检测所述左旋双刃刀的磨损，对所述左旋双刃刀的参数进行补偿； 根据补偿后的所述左旋双刃刀，以第二转速和第二铣速对所述覆铜基板进行逆时针的精铣槽；所述第二转速小于所述第一转速，所述第二铣速大于所述第一铣速。

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