浙江晶越半导体有限公司高冰获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶越半导体有限公司申请的专利一种低氮含量高纯碳化硅粉料的合成方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120328561B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510828181.5，技术领域涉及：C01B32/984；该发明授权一种低氮含量高纯碳化硅粉料的合成方法及装置是由高冰;李璐杰设计研发完成，并于2025-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低氮含量高纯碳化硅粉料的合成方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅合成领域，尤其涉及一种低氮含量高纯碳化硅粉料的合成方法及装置，所述方法包括以下步骤：1将高纯度碳粉与硅粉混合后装入反应容器，所述反应容器的内壁涂覆有致密抗高温涂层；2通过导气管对反应容器进行真空脱气处理，并通入惰性气体清洗反应环境；3加热反应容器至碳化硅合成温度，形成由反应容器内沿着导气管向外排放的定向气流；4在高温条件下，通过所述导气管内碳化硅沉积实现导气管封堵，隔离外部气体污染；5完成碳化硅粉料的晶型转变，得到低氮含量高纯碳化硅粉料。本申请通过涂覆致密抗高温涂层以及导气管的设置物理隔离外部氮气污染，系统性解决了传统工艺中氮杂质难以脱除的难题。
本发明授权一种低氮含量高纯碳化硅粉料的合成方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种低氮含量高纯碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将高纯度碳粉与硅粉混合后装入反应容器，所述反应容器的内壁涂覆有致密抗高温涂层； 2通过导气管对反应容器进行真空脱气处理，并通入惰性气体清洗反应环境，所述导气管与反应容器偏心连接，导气管长度为反应容器高度的13~12，且导气管的孔径为2~5mm； 3加热反应容器至碳化硅合成温度，通过控制反应容器的轴向温度梯度为100~200℃，形成由反应容器内沿着导气管向外排放的定向气流； 4在高温条件下，通过所述导气管内碳化硅沉积实现导气管封堵，隔离外部气体污染； 5完成碳化硅粉料的晶型转变，得到低氮含量高纯碳化硅粉料。
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