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龙图腾网获悉杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)申请的专利一种基于多铁异质结的磁存储器件及存储信息方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417395B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510913989.3，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权一种基于多铁异质结的磁存储器件及存储信息方法是由杨维;徐一博;李燊;林晓阳设计研发完成，并于2025-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于多铁异质结的磁存储器件及存储信息方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于多铁异质结的磁存储器件及存储信息方法，基于多铁异质结的磁存储器件包括：铁磁参考层；隧穿层，材质为铁电材料，隧穿层的一侧贴合设置于铁磁参考层上，且隧穿层施加有外加电压，用于降低磁存储器件的功耗；铁磁自由层，一侧贴合设置于隧穿层的另一侧上；反铁磁层，材质为非镜面对称的反铁磁材料，反铁磁层贴合设置于铁磁自由层的另一侧上，且反铁磁层施加有外加电荷电流，用于使铁磁自由层的垂直磁矩发生翻转，以存储信息。本发明所提供的磁存储器件大大提高了热稳定性和写入效率，同时简化磁化翻转过程，进一步降低尺寸与功耗，为下一代高性能、低功耗的新型存储器件提供技术支持。

本发明授权一种基于多铁异质结的磁存储器件及存储信息方法在权利要求书中公布了：1.一种基于多铁异质结的磁存储器件的存储信息方法，其特征在于，包括： 对隧穿层施加外加电压，以控制所述隧穿层的极化翻转； 对反铁磁层施加外加电荷电流，以生成面外自旋极化电流；其中，所述反铁磁层材质为镜面对称性破缺的反铁磁材料，且贴合设置于铁磁自由层的另一侧上； 在所述极化翻转过程中，通过所述面外自旋极化电流使所述铁磁自由层的垂直磁矩发生确定性翻转，以存储信息；其中，所述垂直磁矩为信息存储的载体； 所述对隧穿层施加外加电压，以控制所述隧穿层的极化翻转，包括：由于铁电材料其具有内建电场，上下表面的功函数存在差异，不同表面与自由层接触时，会产生不同的界面效应，使得体系能量发生变化，对于不同极化方向的+z与-z的磁化方向能量存在差异，所以每个极化方向都对应一个确定地磁化基态方向，在面外自旋轨道矩的作用下可以实现确定磁化方向的翻转； 所述对反铁磁层施加外加电荷电流，以生成面外自旋极化电流，包括：施加的外加电荷电流通过反铁磁层产生面外自旋极化电流，该面外自旋极化电流在铁磁自由层中产生垂直方向的自旋轨道矩，该自旋轨道矩作用于铁磁自由层中的垂直磁矩，导致其发生翻转，从而实现信息的写入操作； 通过所述面外自旋极化电流使所述铁磁自由层的垂直磁矩发生确定性翻转，包括：通过外加电压改变铁电极化方向从而在面外自旋轨道矩的作用下实现磁化的确定性翻转。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)，其通讯地址为：311115 浙江省杭州市余杭区瓶窑镇双红桥街166号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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