电子科技大学屈世伟获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种近掠入射的双极化超宽带三维频率选择表面获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120432878B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510523075.6，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种近掠入射的双极化超宽带三维频率选择表面是由屈世伟;汤润之;孙超;陈晨;杨仕文设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种近掠入射的双极化超宽带三维频率选择表面在说明书摘要公布了：本发明公开了一种近掠入射的双极化超宽带三维频率选择表面，属于电磁场与微波技术领域。通过将金属蛇形线印刷于十字交叉的竖直介质基板上从而构成三维FSS，具有低通高阻的频率选择性能。在近掠入射状态，纵向蛇形线和横向蛇形线可以分别独立控制FSS对TM极化和TE极化波的传输系数，使其在低频通带外同时迅速衰减，突破了传统贴片型带阻FSS对TM极化波的传输系数在低频衰减缓慢的限制。通过控制两个方向的蛇形线绕线圈数以及尺寸，可以调节对应极化传输系数衰减快慢，从而使得FSS对TE和TM极化的低频响应基本一致。
本发明授权一种近掠入射的双极化超宽带三维频率选择表面在权利要求书中公布了：1.一种近掠入射的双极化超宽带三维频率选择表面，该频率选择表面由多个方形单元在二维平面上周期排列而成，所述方形单元结构包括：横向介质基板、十字交叉的两块竖直介质基板、竖直介质基板上印刷的金属线、四个电磁吸波块；所述十字交叉的两块竖直介质基板立于横向介质基板上，十字交叉的两块竖直介质基板的十字形结构的长宽与横向介质基板长宽相同，正好将横向介质基板等分为四个区域，四个电磁吸波块位于横向介质基板的四角；所述两块竖直介质基板上印刷的金属线结构相同，每块竖直介质基板分为左右两部分，两部分的金属线成中心旋转对称；每块竖直介质基板的四角区域和两侧的中部区域采用金属线覆盖。
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