武汉云岭光电股份有限公司李鸿建获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉武汉云岭光电股份有限公司申请的专利电吸收调制半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120527755B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511000274.5，技术领域涉及：H01S5/06；该发明授权电吸收调制半导体激光器及其制备方法是由李鸿建;郭娟设计研发完成，并于2025-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本电吸收调制半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电吸收调制半导体激光器的制备方法，包括如下步骤：S1，采用对接生长工艺制作DFB激光器和EAM调制器；S2，在DFB激光器与EAM调制器对接生长界面处，向下同时蚀刻部分DFB激光器和部分EAM调制器，以形成凹槽；S3，在凹槽的槽壁上镀增透膜，且增透膜的两侧分别延伸至DFB激光器的表面和EAM调制器的表面；S4，接着开电注入窗口，去掉窗口处的增透膜，并制作金属，最后减薄、溅射、合金。还提供一种电吸收调制半导体激光器，采用上述方法制得。本发明能够防止从EAM调制器对接生长界面的反射光进入DFB激光器区，从而大幅度降低信号噪声，提高光信号的传输距离。
本发明授权电吸收调制半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电吸收调制半导体激光器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1，采用对接生长工艺制作DFB激光器和EAM调制器，所述DFB激光器包括于衬底上依次沉积的InPbuffer层、光栅层、InP层、DFB激光器有源层以及掩埋层； S2，在所述DFB激光器与所述EAM调制器对接生长界面处，向下同时蚀刻部分所述DFB激光器和部分所述EAM调制器，蚀刻至InP层，以形成凹槽； S3，在所述凹槽的槽壁上镀增透膜，且所述增透膜的两侧分别延伸至所述DFB激光器的表面和所述EAM调制器的表面； S4，接着开电注入窗口，去掉窗口处的所述增透膜，并制作金属，最后减薄、溅射、合金。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉云岭光电股份有限公司，其通讯地址为：430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区长城园路2号武汉奥新科技1号厂房102室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励