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龙图腾网获悉南昌凯捷半导体科技有限公司申请的专利一种改善光效维持率的LED外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120529710B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511005805.X，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种改善光效维持率的LED外延片及其制备方法是由王苏杰;林晓珊;杨祺;佟嘉欣设计研发完成，并于2025-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善光效维持率的LED外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种改善光效维持率的LED外延片及其制备方法。该LED外延片由下往上依次从下往上依次包括GaAs衬底、缓冲层、腐蚀截止层、N型欧姆接触层、电极保护层、粗化层、N型控氧限制层、第一热电子阻挡层、N侧空间层、多量子阱发光层、P侧空间层、第二热电子阻挡层、P型控氧限制层、过渡层、P型窗口层；N型控氧限制层和P型控氧限制层均采用渐变TMAl源瓶压力控制氧含量并入的方式生长。本发明通过变瓶压控氧并入生长方式生长限制层并设计热电子阻挡层，不仅提高了高温下PN两侧载流子浓度的产出，同时还有高势垒防止电子泄漏，两者组合，具有双重提高AlGaInPLED在高温环境下工作发光效率的功效。

本发明授权一种改善光效维持率的LED外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种改善光效维持率的LED外延片，其特征在于，所述LED外延片由下往上依次包括GaAs衬底、缓冲层、腐蚀截止层、N型欧姆接触层、电极保护层、粗化层、N型控氧限制层、第一热电子阻挡层、N侧空间层、多量子阱发光层、P侧空间层、第二热电子阻挡层、P型控氧限制层、过渡层、P型窗口层； 所述N型控氧限制层和P型控氧限制层均采用渐变TMAl源瓶压力控制氧含量并入的方式生长；所述N型控氧限制层的材料为Al0.5In0.5P，该层生长过程中：TMAl源瓶中氧含量设定为1ppm～3ppm，TMAl源瓶的压力随着该层生长逐渐增大；所述P型控氧限制层的材料为Al0.5In0.5P，该层生长过程中：TMAl源瓶中氧含量设定为30ppm～50ppm，Al源瓶的压力随着该层生长逐渐降低； 所述第一热电子阻挡层为由Al1-x1Inx1PAl0.8In0.2PAl1-x2Inx2P三层材料组合而成的外延结构，其中，x1、x2的取值范围均为0.2～0.5； 所述第二热电子阻挡层为由Al1-x3Inx3PAl0.7In0.3PAl1-x4Inx4P三层材料组合而成的外延结构，其中，x3、x4的取值范围均为0.3～0.5。

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