杭州清芯微电子有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州清芯微电子有限公司申请的专利一种用于功率MOSFET的具有集成散热的半导体器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568811B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511054785.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种用于功率MOSFET的具有集成散热的半导体器件及制造方法是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于功率MOSFET的具有集成散热的半导体器件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种用于功率MOSFET的具有集成散热的半导体器件，所述的半导体器件由若干个相互并列的MOS元胞组成；单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极以及栅极，所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、N阱层和P阱层，所述栅极的截面轮廓呈“H”形状，该栅极包括两个纵向部分和用于桥接两个纵向部分的横向部分。本发明由“H”形栅极结构通过横向部分桥接双纵向沟槽，增大沟道宽度，降低导通电阻；结合底部掺杂层内的金属沉积层及重掺杂N+层，进一步优化电流路径；并且金属层并联导电降低电阻，重掺杂N+层抑制JFET效应使电阻再降10%以上。
本发明授权一种用于功率MOSFET的具有集成散热的半导体器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于功率MOSFET的具有集成散热的半导体器件，所述的半导体器件由若干个相互并列的MOS元胞组成；单个所述MOS元胞从下向上依次包括漏极1、半导体外延层、栅极4以及源极2，其中栅极4的表面覆盖有栅氧化层；所述半导体外延层从下向上依次包括N衬底层5、N漂移层6、P阱层9和N阱层8，单个所述MOS元胞中且位于P阱层9、N阱层8的两侧设有P+层7，该P+层7的上下两端分别与源极2、N漂移层6接触，其特征在于：所述栅极4的截面轮廓呈“H”形状，该栅极4包括两个纵向部分和用于桥接两个纵向部分的横向部分； 所述栅极4的两个纵向部分之间设有集成金属层3，该集成金属层3的顶端与源极2直接接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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