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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种双向BJT固态断路器及其驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120601872B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511105615.5，技术领域涉及：H03K17/04；该发明授权一种双向BJT固态断路器及其驱动电路是由杨旭;杨浩;朱晋;雷宇;吴海波;姚其新;刘芳;范可设计研发完成，并于2025-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双向BJT固态断路器及其驱动电路在说明书摘要公布了：本申请提出了一种双向BJT固态断路器及其驱动电路，涉及电力电子技术领域，该驱动电路包括：驱动电流动态调节模块，包括自适应调节子模块和模糊控制器，自适应调节子模块用于获取双向BJT器件的当前工况数据，将当前工况数据输入预训练的长短时记忆网络，获取双向BJT器件的目标基极电压，模糊控制器用于获取双向BJT器件的采样基极电压，根据目标基极电压和采样基极电压的差值调节控制信号，输出目标控制信号；微波驱动模块，用于将目标控制信号转换为平滑的模拟基带信号加载到高频载波信号上，生成射频调制信号，对射频调制信号进行整流处理后输出给双向BJT器件。上述驱动电路可以实现驱动电流的动态调整，实现功耗优化，降低驱动功耗。

本发明授权一种双向BJT固态断路器及其驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种双向BJT固态断路器，其特征在于，包括：双向BJT器件、驱动电路、预关断电路和处理电路； 所述驱动电路包括：驱动电流动态调节模块和微波驱动模块，驱动电流动态调节模块包括自适应调节子模块和模糊控制器；所述自适应调节子模块包括：检测单元、自适应调节器和反馈单元，所述检测单元用于检测所述双向BJT器件的当前状态信息，并对所述当前状态信息进行数据融合处理获取当前工况数据；所述自适应调节器用于接收所述当前工况数据，根据所述当前工况数据生成工况特征向量，将所述工况特征向量输入预训练的长短时记忆网络，获取所述双向BJT器件的目标基极电压；所述反馈单元用于接收所述微波驱动模块输出的反馈信号，根据所述反馈信号确定反馈信息，其中，所述当前状态信息包括电流信息、温度信息、电磁干扰信息和反馈信息，所述反馈信息包括微波驱动模块输出低频直流信号的属性信息；所述模糊控制器用于将所述目标基极电压和采样基极电压的差值作为输入，按照预先设定的模糊规则进行模糊推理，推理结果经过重心法解模糊得到一个精确控制信号，用以调节控制信号，输出目标控制信号；其中，所述长短时记忆网络用于预测在当前运行条件下最优的基极驱动电流；所述模糊规则为负载较大且误差上升时迅速增加基极驱动电流，负载较小时适当降低基极驱动电流；微波驱动模块，用于接收所述目标控制信号，并将所述目标控制信号转换为平滑的模拟基带信号，通过包络调制技术将所述模拟基带信号加载到高频载波信号上，生成射频调制信号，对射频调制信号进行整流处理转换为两路低频直流信号分别对应输出给所述双向BJT器件的两个基极； 所述预关断电路包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管；所述第一MOS管的第一极与所述驱动电路的第一输出端连接，所述第一MOS管的第二极与所述双向BJT器件的第一基极连接，所述第一MOS管的栅极与所述处理电路连接；所述第二MOS管的第一极与所述双向BJT器件的集电极连接，所述第二MOS管的第二极与所述双向BJT器件的第一基极连接，所述第二MOS管的栅极与所述处理电路连接；所述第三MOS管的第一极与所述驱动电路的第二输出端连接，所述第三MOS管的第二极与所述双向BJT器件的第二基极连接，所述第三MOS管的栅极与所述处理电路连接；所述第四MOS管的第一极与所述双向BJT器件的发射极连接，所述第四MOS管的第二极与所述双向BJT器件的第二基极连接，所述第四MOS管的栅极与所述处理电路连接；在预关断阶段，所述第一MOS管和所述第三MOS管处于断开状态，所述第二MOS管和第四MOS管处于导通状态。

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