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南昌凯迅光电股份有限公司王苏杰获国家专利权

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龙图腾网获悉南昌凯迅光电股份有限公司申请的专利一种遥控器用红外LED外延片及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120603405B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511086639.0,技术领域涉及:H10H20/814;该发明授权一种遥控器用红外LED外延片及其制备方法是由王苏杰;林晓珊;佟嘉欣;屈乾峰设计研发完成,并于2025-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

一种遥控器用红外LED外延片及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及LED技术领域,具体涉及一种遥控器用红外LED外延片及其制备方法。该红外LED外延片由下往上依次包括GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱发光层、P型限制层、P型内反射聚光层、P型电流扩展层、高压响应层、P型接触层。本发明在常规红外LED外延结构中采取P型内反射聚光层、高压响应层的设计,可改善用于遥控器的红外LED的辐射光强、发光角度与响应电流,提升了遥控器的操控距离。

本发明授权一种遥控器用红外LED外延片及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种遥控器用红外LED外延片,其特征在于,所述红外LED外延片由下往上依次包括GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱发光层、P型限制层、P型内反射聚光层、P型电流扩展层、高压响应层、P型接触层; 所述P型内反射聚光层是由AlAsAlx3Ga1-x30.5In0.5P材料交替生长的周期性结构,其中x3的取值范围为0.7~0.8; 所述高压响应层是由高掺杂Alx1Ga1-x10.5In0.5P材料、低掺杂Al0.5In0.5P材料、高掺杂Alx2Ga1-x20.5In0.5P材料三段式组合而成的结构,其中x1、x2的取值范围均为0.3~0.6。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人南昌凯迅光电股份有限公司,其通讯地址为:330000 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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