杭州富芯半导体有限公司崔卫刚获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利基于先进工艺制程的器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120637312B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511063397.3，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权基于先进工艺制程的器件及其制备方法是由崔卫刚设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于先进工艺制程的器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种基于先进工艺制程的器件及其制备方法，包括：提供初始器件结构，初始器件结构包括基底和位于基底上的至少一层互连层，基底中形成有半导体器件的功能元件，至少一层互连层位于顶层金属层和基底之间，互连层基于先进工艺制程制备，包括金属层、金属互联结构和介质层；于初始器件结构中形成深沟槽，深沟槽贯穿至少一层互连层后深入基底；对深沟槽进行隔离材料填充，形成填充深沟槽并层叠于至少一层互连层上的填充材料层，与至少一层互连层相邻的下一互连层复用填充材料层的层叠于至少一层互连层上的区域。本申请能够将DTI的制备工序整合至BCD等器件的互连层制备工序中，简化集成工艺。
本发明授权基于先进工艺制程的器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于先进工艺制程的器件制备方法，其特征在于，包括： 提供初始器件结构，所述初始器件结构包括基底和位于所述基底上的至少一层互连层，所述基底中形成有半导体器件的功能元件，包括衬底层、外延层、以及纵跨所述衬底层和所述外延层的掺杂埋层，所述外延层中形成有浅沟槽隔离结构，所述至少一层互连层位于顶层金属层和所述基底之间，所述互连层基于先进工艺制程制备，包括金属层、金属互联结构和介质层，所述金属互联结构纵向贯穿所述介质层并与所述金属层电性连接； 于所述初始器件结构中形成深沟槽，所述深沟槽依次贯穿所述至少一层互连层、所述浅沟槽隔离结构和所述外延层后深入所述衬底层，所述深沟槽和所述掺杂埋层相接，以用于隔离相邻器件模块； 对所述深沟槽进行隔离材料填充，形成填充所述深沟槽并层叠于所述至少一层互连层上的填充材料层，与所述至少一层互连层相邻的下一互连层复用所述填充材料层的层叠于所述至少一层互连层上的区域。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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