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龙图腾网获悉南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心申请的专利一种分流型SiC MOSFET结构及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120640742B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511120059.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种分流型SiC MOSFET结构及制造方法是由黄润华;黄昱;张腾;柏松;杨勇设计研发完成，并于2025-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种分流型SiC MOSFET结构及制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种分流型SiCMOSFET结构及制造方法，结构包括：位于第一导电类型外延层一中的第二导电类型掺杂区一，位于第二导电类型掺杂区一中的第一导电类型掺杂区一；贯穿第一导电类型外延层二、位于第二导电类型掺杂区一之上、位于第一导电类型掺杂区一之上的第二导电类型掺杂区二；位于第二导电类型掺杂区二中毗邻的第一导电类型掺杂区二、第二导电类型PP区；位于第二导电类型掺杂区二中与第一导电类型掺杂区二毗邻的第二导电类型PC区一、第二导电类型PC区二；位于栅介质层之上且不连通的栅极、类栅电极；实现在体二极管导通电流增大时开启另外的载流子导通路径，进而改善体二极管导通性能。

本发明授权一种分流型SiC MOSFET结构及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种分流型SiCMOSFET结构，其特征在于，包括： 漏极欧姆接触区； 位于漏极欧姆接触区之上的第一导电类型衬底，位于第一导电类型衬底之上的NE区，NE区包括第一导电类型外延层一和位于第一导电类型外延层一之上的第一导电类型外延层二； 位于第一导电类型外延层一之中的第二导电类型掺杂区一，位于第二导电类型掺杂区一之中的第一导电类型掺杂区一； 贯穿第一导电类型外延层二、位于第二导电类型掺杂区一之上、位于第一导电类型掺杂区一之上的第二导电类型掺杂区二；位于第二导电类型掺杂区二之中毗邻的第一导电类型掺杂区二、第二导电类型PP区； 位于第二导电类型掺杂区二之中与第一导电类型掺杂区二毗邻的第二导电类型PC区一、第二导电类型PC区二；第二导电类型PC区一的掺杂浓度范围为1E15cm-3~5E16cm-3；第二导电类型PC区二的掺杂浓度范围为5E16cm-3~2E17cm-3； 位于第一导电类型外延层二、第二导电类型PC区一、第二导电类型PC区二、部分第一导电类型掺杂区二之上的栅介质层； 位于栅介质层之上且不连通的栅极、类栅电极；栅极位于部分第二导电类型PC区二投影之上，类栅电极位于部分第二导电类型PC区一投影之上； 位于第二导电类型PP区、部分第一导电类型掺杂区二之上的源极欧姆接触区，源极欧姆接触区与类栅电极连通。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心，其通讯地址为：211111 江苏省南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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