杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种自对准双栅极MOSFET及其制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120640744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511128284.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种自对准双栅极MOSFET及其制造工艺是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自对准双栅极MOSFET及其制造工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种自对准双栅极MOSFET，由若干个相互并联的MOS元胞组成，单个所述MOS元胞自下向上依次包括漏极、半导体外延层、栅极和源极，所述半导体外延层包括有N衬底层、N漂移层、N阱层、P阱层、P+层，所述N漂移层的内部且位于栅极的下方通过离子注入形成有P型掺杂区，该P型掺杂区与栅极欧姆接触。本发明本发明通过在栅极下方构建P型掺杂区并实现欧姆接触，显著降低了栅极接触电阻；同时在P型区内沉积自对准的N型掺杂栅，使栅控结构精确对准沟道位置。该设计不仅提升了栅极对沟道载流子的控制能力，还同步降低了导通损耗并增强了开关响应速度。
本发明授权一种自对准双栅极MOSFET及其制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种自对准双栅极MOSFET，由若干个相互并联的MOS元胞组成，单个所述MOS元胞自下向上依次包括漏极1、半导体外延层、栅极3和源极2，所述半导体外延层自下向上依次包括有N衬底层4、N漂移层5、P阱层7以及N阱层6，其中N阱层6和P阱层7位于栅极3的两侧，所述半导体外延层还包括有P+层8，该P+层8位于N阱层6和P阱层7的两侧，其特征在于：所述N漂移层5的内部且位于栅极3的下方通过离子注入形成有P型掺杂区9，该P型掺杂区9与栅极3欧姆接触； 所述P型掺杂区9内部沉积有若干个相互并列的N型掺杂栅10。
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