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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种基于混合型有限体积法的半导体器件临界击穿特性仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120724789B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511222939.7，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种基于混合型有限体积法的半导体器件临界击穿特性仿真方法是由王麒超;赵东艳;尹文言;陈燕宁;刘芳;张念恩;梁英宗;王寅达;朱亚星;李谭毅;杜正威;谢浩设计研发完成，并于2025-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于混合型有限体积法的半导体器件临界击穿特性仿真方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于混合型有限体积法的半导体器件临界击穿特性仿真方法，首先对器件进行几何建模，进行网格剖分；然后，判断网格质量，对于质量较好的网格采用FBM方法，对于质量较差的网格采用CVFEM方法以离散漂移‑扩散方程组；之后，采用全耦合牛顿迭代法求解离散后的漂移‑扩散方程组系统，采用自动升压策略和初始值外推方法，实现升压数值模拟过程优化。最后，得到功率半导体器件LDMOS在不同外加偏压下的物理场信息，并通过后处理方法计算终端电流，得到器件在考虑雪崩击穿效应后的I‑V特性曲线。本发明具备良好的数值计算精度和数值稳定性，以及网格适应性，实现了与国际先进半导体仿真工具SentaurusTCAD求解精度的完全对标。

本发明授权一种基于混合型有限体积法的半导体器件临界击穿特性仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种基于混合型有限体积法的半导体器件临界击穿特性仿真方法，其特征在于，该方法包括如下步骤： 第一步：构建待求解器件的几何模型，包括结构中材料分布和掺杂分布，对其进行网格剖分，导出剖分之后的网格信息，并判断网格质量，分为良好单元和质量较差单元； 第二步：确定半导体模拟采用的方程系统，包括描述静电势的泊松方程和描述电子、空穴浓度分布的电流连续性方程，其中电流连续性方程由漂移-扩散方程描述； 第三步：确定边界条件和构建描述击穿过程的物理模型，其中边界条件考虑电极位置上的欧姆接触边界条件；对于击穿特性仿真，需要添加碰撞电离模型； 第四步：通过FBM和CVFEM混合离散方法对漂移-扩散方程组进行离散，其中良好单元的网格采用FBM方法，质量较差单元的网格采用改进的CVFEM方法；单元边界处的电流通量采用Scharfetter-Gummel格式进行离散，对于CVFEM方法，需要将边界处的通量值通过矢量基函数插值到单元内部，即通过引入矢量有限元基函数将单元边上的电流密度插值到控制体边界的中点位置上，取其法向分量，用于计算控制体积单元的电流通量； 第五步：采用全耦合牛顿迭代法数值求解离散以后的非线性方程组；在迭代过程中，采用自动升压策略和初始值外推方法进行优化求解； 第六步：最终得到器件在不同外加电压下的物理场分布，进行后处理，获得器件的电学特性参数。

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