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龙图腾网获悉苏州美图半导体技术有限公司申请的专利一种室温真空压力键合装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223566585U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422954218.2，技术领域涉及：H01L21/67；该实用新型一种室温真空压力键合装置是由王云翔;马冬月;段仲伟;姚园;许爱玲;王蓬蓬设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种室温真空压力键合装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种室温真空压力键合装置，包括真空腔，真空腔的壁面上分别开设第一通孔和第二通孔，第一通孔与等离子发生组件连接，第二通孔与真空发生组件连接，通过真空发生组件对真空腔内部抽真空，通过等离子发生组件对真空腔内部的晶圆进行活化；真空腔的外顶壁面固定气缸，气缸的输出导杆伸入至真空腔的内部并与键合压头连接，真空腔的内底壁面上固定有操作台，真空腔的内部配合安装有操作臂机构。通过设置等离子发生组件，能够向真空腔内部发射等离子束，从而对晶圆进行等离子轰击活化，使得晶圆能够在室温下进行键合无需对晶圆加热，降低能耗，极大地缩短生产时间，有效提高生产效率。

本实用新型一种室温真空压力键合装置在权利要求书中公布了：1.一种室温真空压力键合装置，其特征在于：包括真空腔3，所述真空腔3的壁面上分别开设第一通孔301和第二通孔302，所述第一通孔301与等离子发生组件连接，所述第二通孔302与真空发生组件连接，所述真空发生组件、等离子发生组件均布置于真空腔3的外部，通过所述真空发生组件对真空腔3内部抽真空，通过所述等离子发生组件对真空腔3内部的晶圆进行活化； 所述真空腔3的外顶壁面固定气缸10，所述气缸10的输出导杆伸入至真空腔3的内部并与键合压头15连接，所述真空腔3的内底壁面上固定有操作台8，所述操作台8位于键合压头15的正下方，真空腔3的内部配合安装有操作臂机构9； 通过所述操作臂机构9将一片活化后的晶圆叠放于另一片活化后的晶圆顶部从而得到晶圆组件，所述操作臂机构9将晶圆组件运送至操作台8的顶部，通过气缸10驱动键合压头15沿竖直方向作靠近操作台8的直线运动，从而对操作台8顶部的晶圆组件施加压力。

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