台湾积体电路制造股份有限公司汪金华获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223566622U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421847864.2，技术领域涉及：H01L23/495；该实用新型半导体装置结构是由汪金华;李宗彦;杨聪伟;郑心圃设计研发完成，并于2024-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构在说明书摘要公布了：一种半导体装置结构，包含中介物，包含中介物介电材料层，此中介物介电材料层之中形成有中介物金属互连结构以及晶粒侧中介物接合垫；至少一半导体晶粒，之中形成有晶粒内接合垫，此晶粒内接合垫通过金属对金属接合的方式接合至晶粒侧中介物接合垫中相应的一个；及复合晶粒框架，侧向地环绕至少一半导体晶粒。复合晶粒框架包含模塑料晶粒框架部，此模塑料晶粒框架部包含模塑料材料以及框架边缘强化结构，此框架边缘强化结构位于复合晶粒框架的转角处，且此框架边缘强化结构包含在20摄氏度下的热膨胀系数低模塑料材料的材料。
本实用新型半导体装置结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括： 一中介物，包括多个中介物介电材料层，所述中介物介电材料层之中形成有多个中介物金属互连结构以及多个晶粒侧中介物接合垫； 至少一半导体晶粒，所述至少一半导体晶粒的每一个皆包括相应的一组半导体装置以及相应的晶粒内介电材料层，所述晶粒内介电材料层之中形成有多个晶粒内金属互连结构以及多个晶粒内接合垫，其中所述晶粒内接合垫通过金属对金属接合的方式接合至所述晶粒侧中介物接合垫中相应的一个；及 一复合晶粒框架，侧向地环绕所述至少一半导体晶粒，且接触所述中介物介电材料层中一个的一水平表面，其中该复合晶粒框架包括一模塑料晶粒框架部，该模塑料晶粒框架部包括一模塑料材料以及多个框架边缘强化结构，所述框架边缘强化结构位于该复合晶粒框架的多个转角处，且所述框架边缘强化结构包括在20摄氏度下的热膨胀系数低于该模塑料材料的一材料。
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