拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司王佳航获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利一种射频接地机构及其薄膜沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223566902U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423155394.6，技术领域涉及：H01R4/66；该实用新型一种射频接地机构及其薄膜沉积设备是由王佳航;张赛谦;郭东;冯家玉;刘镇颉;宋宇设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种射频接地机构及其薄膜沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种射频接地机构及其薄膜沉积设备，射频接地机构包括工艺腔室以及设置于所述工艺腔室内的喷淋盘，所述喷淋盘电连接于射频电源；其中，所述喷淋盘上还设有一并联谐振电路接地单元，所述并联谐振电路接地单元用于将所述喷淋盘上聚集的电荷快速接地释放。其中，所述并联谐振电路接地单元包括：并联的电容和电感，所述电容和所述电感的一端接地。本实用新型的射频接地机构及其薄膜沉积设备，其通过将作为上电极的喷淋盘采用并联谐振电路接地单元接地，从而将累积在上电极上的电荷快速释放至大地中，避免电荷累积造成的颗粒影响，其处理方式简单可靠，能够明显降低电荷对电极以及薄膜沉积工艺的影响。
本实用新型一种射频接地机构及其薄膜沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种射频接地机构，其特征在于，包括工艺腔室以及设置于所述工艺腔室内的喷淋盘，所述喷淋盘电连接于射频电源；其中，所述喷淋盘上还设有一并联谐振电路接地单元，所述并联谐振电路接地单元用于将所述喷淋盘上聚集的电荷快速接地释放。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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