合肥晶合集成电路股份有限公司宋富冉获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件版图结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223567993U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423116446.9，技术领域涉及：H10D89/10；该实用新型半导体器件版图结构是由宋富冉;周儒领设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件版图结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种半导体器件版图结构，包括：包括半导体衬底、第一栅极、侧墙结构、第二栅极和第一栅极插塞，第一栅极位于半导体衬底上，侧墙结构位于半导体衬底上且位于第一栅极的侧面；第二栅极包括第一部分和第二部分，第一部分位于部分第一栅极和部分侧墙结构上，第二部分与第一部分一端的侧面连接，且第二部分位于侧墙结构一侧的半导体衬底上；第一栅极插塞位于第二部分上且位于侧墙结构的区域外。本实用新型能够使得第一栅极插塞的底部位于半导体衬底的平面上，避免第一栅极插塞的底部位于侧墙结构上，在制备第一栅极插塞时更容易控制刻蚀进程，不易刻蚀穿透第二栅极，从而提高了半导体器件的产品良率。
本实用新型半导体器件版图结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件版图结构，其特征在于，包括： 半导体衬底； 第一栅极，位于所述半导体衬底上； 侧墙结构，位于所述半导体衬底上且位于所述第一栅极的侧面； 第二栅极，包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于部分所述第一栅极和部分所述侧墙结构上，所述第二部分与所述第一部分一端的侧面连接，且所述第二部分位于所述侧墙结构一侧的所述半导体衬底上； 第一栅极插塞，位于所述第二部分上且位于所述侧墙结构的区域外。
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