英特尔公司O·卡尔哈德获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利堆叠式封装热传递系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109216330B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810538031.0，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权堆叠式封装热传递系统和方法是由O·卡尔哈德;C·L·鲁默;N·德什潘德;R·M·尼克森设计研发完成，并于2018-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本堆叠式封装热传递系统和方法在说明书摘要公布了：提供了用于改善PoP半导体封装中的热分布和热移除效率的系统和方法。PoP半导体封装包括第一半导体封装，其物理地、可通信地且导电地耦合到堆叠的第二半导体封装。间隙形成在第一半导体封装的上表面与第二半导体封装的下表面之间。另外，在设置在有机衬底上的每个PoP半导体封装之间形成空隙。诸如模塑料的可固化流体材料可以在PoP半导体封装之间的空隙空间中流动并且流入第一半导体封装的上表面和第二半导体封装的下表面之间的间隙中。
本发明授权堆叠式封装热传递系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种堆叠式封装PoP半导体封装，包括： 具有顶表面和底表面的第一半导体封装； 设置在所述第一半导体封装的所述顶表面上的第一焊球； 具有顶表面和底表面的第二半导体封装，所述第二半导体封装通信地耦合到所述第一半导体封装，并且所述第二半导体封装包括封装在具有第一热导率的模塑料中的一个或多个管芯；以及 设置在所述第二半导体封装的所述底表面上的第二焊球，其中，所述第二焊球与所述第一焊球接触， 其中，在将所述第一半导体封装通信地耦合到所述第二半导体封装之后，间隙形成在所述第二半导体封装的底表面和所述第一半导体封装的顶表面之间； 其中，所述间隙填充有可固化流体材料，所述可固化流体材料固化以利用固化的材料将所述第一半导体封装的所述顶表面导热地耦合到所述第二半导体封装的所述底表面，所述固化的材料具有大于所述第一热导率的第二热导率，其中，所述可固化流体材料至少部分地沿着所述第一半导体封装的侧面延伸，并且其中，所述固化的材料形成至少部分地围绕所述第一半导体封装的外围延伸的外围壁；并且 其中，所述可固化流体材料在所述间隙内接触所述第一焊球和所述第二焊球。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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