浙江珏芯微电子有限公司杨天伦获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江珏芯微电子有限公司申请的专利制冷红外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172529B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210918121.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权制冷红外探测器及其制备方法是由杨天伦;毛剑宏;杜宇;鲁琳;王慧设计研发完成，并于2022-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本制冷红外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种制冷红外探测器及其制备方法，所述制备方法包括：提供碲镉汞衬底，碲镉汞衬底的表面覆盖有晶格过渡层在晶格过渡层上依次形成绝缘保护层及牺牲层；利用图形化的掩模层执行离子注入工艺，在碲镉汞衬底中形成离子注入区；去除图形化的掩模层及牺牲层；在离子注入区上方形成金属电极，金属电极贯穿绝缘保护层及晶格过渡层，且金属电极电性引出离子注入区。本发明中，利用晶格过渡层保护碲镉汞衬底表面的初始的界面态，以牺牲层减小离子注入工艺对碲镉汞衬底的不良影响，并在后续的工艺中利用绝缘保护层保护晶格过渡层，提高制造良率，并降低因碲镉汞衬底的界面态沾污或损伤产生的漏电风险。
本发明授权制冷红外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种制冷红外探测器的制备方法，其特征在于，包括： 提供碲镉汞衬底，所述碲镉汞衬底的表面覆盖有晶格过渡层，所述晶格过渡层与所述碲镉汞衬底的晶格相匹配或应力相匹配； 在所述晶格过渡层上依次形成绝缘保护层及牺牲层，所述绝缘保护层覆盖所述晶格过渡层，所述牺牲层覆盖所述绝缘保护层，形成所述绝缘保护层的工艺温度小于150℃； 在所述牺牲层上形成图形化的掩模层，利用所述图形化的掩模层执行离子注入工艺，在所述碲镉汞衬底中形成离子注入区； 去除所述图形化的掩模层及所述牺牲层； 在所述离子注入区上方形成金属电极，所述金属电极贯穿所述绝缘保护层及所述晶格过渡层，且所述金属电极电性引出所述离子注入区。
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