中国计量大学蔡培庆获国家专利权
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龙图腾网获悉中国计量大学申请的专利一种基于CsCu2I3晶片的光电二极管型X射线探测器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188898B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210751794.X，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种基于CsCu2I3晶片的光电二极管型X射线探测器及其制备方法和应用是由蔡培庆;范雄生;刘延亮;李上洽;万明杰;刘祖刚设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于CsCu2I3晶片的光电二极管型X射线探测器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于CsCu2I3晶片的光电二极管型X射线探测器及其制备方法和应用。该光电二极管型X射线探测器包括CsCu2I3晶片和器件结构，所述晶片包括CsI和CuI粉末原料，研磨混合热压制备CsCu2I3晶片，其中CsI和CuI的摩尔比为1：2。所述的器件结构为阴极空穴传输层CsCu2I3晶片电子传输层阳极。从而实现基于CsCu2I3晶片的光电二极管型X射线探测器件，以促进全无机无铅卤化物Cs‑Cu‑I体系在X射线直接探测上的应用。本发明中的各功能层对环境友好，制备方法简便，具有大尺寸规模化制备的潜力，有良好的应用前景。
本发明授权一种基于CsCu2I3晶片的光电二极管型X射线探测器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于CsCu2I3晶片的光电二极管型X射线探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一，称取CsI和CuI粉末原料，置于球磨罐，通过机械研磨获得研磨均匀的微晶粉末； 步骤二，称取固体添加剂，与微晶粉末均匀混合； 步骤三，称取固体添加剂和微晶粉末混合原料，添加到压片模具内热压后制备CsCu2I3晶片； 步骤四，将CsCu2I3晶片置于旋涂仪内，旋涂得到空穴传输层薄膜，退火制备好空穴传输层； 步骤五，将制备好空穴传输层CsCu2I3晶片放在电极掩模板上并置于真空蒸镀机中，蒸镀制备好Cu电极； 步骤六，制备好Cu电极和空穴传输层的CsCu2I3晶片从蒸镀箱内取出，翻面后放在掩模板上在置于真空蒸镀机中，蒸镀制备电子传输层和电极。
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