长鑫存储技术有限公司卢经文获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116156869B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111384157.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器件及其制备方法是由卢经文设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上形成若干个第一方向的埋入式栅极结构；图案化衬底，切断埋入式栅极结构，在第二方向上形成若干个平行间隔排布的有源结构及有源结构之间的隔离槽；其中，有源结构为岛状柱状体，有源结构包括埋入式栅极结构；在隔离槽中形成隔离结构，隔离结构的表面与有源结构的表面齐平；在隔离结构及有源结构表面形成若干条第一方向的导电字线，导电字线覆盖于有源结构中埋入式栅极结构的上表面。本发明达到了减弱锤击效应，提升存储器件的性能的目的。
本发明授权存储器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成若干个第一方向的埋入式栅极结构； 在衬底表面形成第一氮化层，图案化所述第一氮化层，形成若干条第二方向上平行间隔排布的有源区掩膜结构； 以所述有源区掩膜结构为蚀刻掩膜，蚀刻去除暴露出的衬底，以切断所述埋入式栅极结构，形成若干个平行间隔排布的有源结构及所述有源结构之间的隔离槽；其中，所述有源结构的深度大于所述埋入式栅极结构的深度；其中，所述有源结构为岛状柱状体，所述有源结构包括所述埋入式栅极结构； 在所述隔离槽中形成隔离结构，所述隔离结构的表面与所述有源结构的表面齐平； 在所述隔离结构及所述有源结构表面形成若干条第一方向的导电字线，所述导电字线覆盖于所述有源结构中埋入式栅极结构的上表面。
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