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龙图腾网获悉美商福昌公司申请的专利用于制造光掩模的系统、方法和程序产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116157736B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180047279.7，技术领域涉及：G03F1/32；该发明授权用于制造光掩模的系统、方法和程序产品是由M·拉马丹;M·格林;Y·汉姆;克里斯托弗·J·普洛格勒设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制造光掩模的系统、方法和程序产品在说明书摘要公布了：用于从所获得的与在晶片上显示缺陷的光掩模相关的图案信息构建光掩模的方法和系统。对图案信息进行空间域分析，使得可以生成校正光掩模结构并可以将其应用于光掩模布局。使用校正光掩模结构来构建光掩模。验证了光掩模的有效性。

本发明授权用于制造光掩模的系统、方法和程序产品在权利要求书中公布了：1.一种制造光掩模的方法，包括： a从晶片的扫描电子显微镜图像检测晶片缺陷； b从先前制造的光掩模的扫描电子显微镜图像提取多个掩模轮廓，其中，所提取的掩模轮廓能够对应于检测到的所述晶片缺陷； c使用所提取的所述多个掩模轮廓生成模拟制造的晶片； d检测所述模拟制造的晶片上的一个或多个缺陷； e基于所述模拟制造的晶片上的缺陷，确定所述光掩模的一个或多个有问题的区域； f获得与所述先前制造的光掩模的有问题的区域相关的图案信息； g进行所述图案信息的空间域分析； h基于所述空间域分析确定多个光掩模结构图案，所述多个光掩模结构图案显示一个或多个对应的缺陷； i基于所述空间域分析从所述多个光掩模结构图案生成多个潜在的校正光掩模结构图案，其中，所述生成包括： i选择要应用于所述多个光掩模结构图案的多个处理，所述多个光掩模结构图案显示一个或多个对应的缺陷；以及 ii对于每个选择的处理，选择对应于所述处理的多个参数；以及 iii将具有所选择的参数的所选择的所述处理应用于所述多个光掩模结构图案，所述多个光掩模结构图案显示一个或多个对应的缺陷； j将所述潜在的校正光掩模结构图案并入测试光掩模中； k分析所述测试光掩模上的所述潜在的校正光掩模结构图案； l从所述多个潜在的校正光掩模结构图案中选择多个校正光掩模结构图案； m基于对所述测试光掩模上的所述多个校正光掩模结构图案的分析，生成一个或多个光掩模图案校正脚本； n执行所述一个或多个光掩模图案校正脚本，以将所述多个校正光掩模结构图案中的一个或多个校正光掩模结构图案应用于一整层的光掩模布局； o基于最终光掩模布局构建用于所述一整层的光掩模，在用于所述一整层的光掩模中已并入所述多个校正光掩模结构图案中的一个或多个校正光掩模结构图案； p确认所述一个或多个校正光掩模结构图案已经被应用于最终光掩模；以及 q确定基于所述最终光掩模生产的晶片上的多个位置不显示与先前制造的光掩模的所述一个或多个缺陷相对应的缺陷，在所述最终光掩模中已并入所述多个校正光掩模结构图案中的一个或多个校正光掩模结构图案。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美商福昌公司，其通讯地址为：美国康涅狄格州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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