中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司严中稳获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116165838B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111417022.4,技术领域涉及:G03F1/36;该发明授权光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法是由严中稳;刘娜设计研发完成,并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法在说明书摘要公布了:一种光学临近修正方法及掩膜版的制作方法,所述光学临近修正方法包括:获取初始版图;对初始版图进行若干次光学临近修正,获取第n版图,n是自然数;对所述第n版图进行曝光处理,获取第n曝光版图;检测所述第n曝光版图的若干第n缺陷;根据与若干第n缺陷对应的若干初始缺陷标记、第一预设距离和次数n,形成对应的若干第n缺陷标记,第n缺陷标记的范围大于对应的初始缺陷标记的范围;在所述第n版图中,根据若干第n缺陷标记获取若干第n待修正边;根据预设移边步长移动若干第n待修正边,形成第n+1版图。从而,改善了光学临近修正方法的效率和修正效果。
本发明授权光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法在权利要求书中公布了:1.一种光学临近修正方法,其特征在于,包括: 获取初始版图; 对初始版图进行若干次光学临近修正,获取第n版图,n是自然数; 对所述第n版图进行曝光处理,获取第n曝光版图; 检测所述第n曝光版图的若干第n缺陷; 根据与若干第n缺陷对应的若干初始缺陷标记、第一预设距离和次数n,形成对应的若干第n缺陷标记,第n缺陷标记的范围大于对应的初始缺陷标记的范围; 在所述第n版图中,根据若干第n缺陷标记获取若干第n待修正边; 根据预设移边步长移动若干第n待修正边,形成第n+1版图; 所述第n版图包括若干第n图形,在所述第n版图中,根据若干第n缺陷标记获取若干第n待修正边的方法包括:根据与第n缺陷标记接触的第n图形的部分或全部轮廓,获取第n待修正边。
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