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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169141B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111414653.0，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈卓凡设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括相邻的工作区和隔离区，基底上均形成有器件栅极结构，基底顶部形成有第一层间介质层；在隔离区中的器件栅极结构的顶部形成第一沟槽；在第一沟槽中形成牺牲层；在第一层间介质层顶部形成第二层间介质层；在第二层间介质层中形成第二沟槽，第二沟槽在基底上的投影与牺牲层在基底上的投影正交；去除第二沟槽露出的牺牲层，在第一层间介质层中形成第一接触孔；在第一接触孔中形成第一栅极插塞，第一栅极插塞用于加载第一电位；在工作区的器件栅极结构顶部形成第二栅极插塞，第二栅极插塞用于加载第二电位，第二电位和第一电位为相反电位。降低第一栅极插塞与相邻源漏掺杂区发生短接的概率。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括衬底和凸立于所述衬底上的鳍部，所述基底包括相邻的工作区和隔离区； 隔离层，位于所述鳍部露出的所述衬底上，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁； 器件栅极结构，分别位于所述工作区和隔离区的所述基底上，所述隔离区的所述器件栅极结构用于作为隔断结构； 底部介质层，位于所述器件栅极结构露出的所述衬底上且覆盖所述器件栅极结构的侧壁，且所述底部介质层的顶部与所述器件栅极结构的顶部相齐平； 第一介质层，位于隔离区的所述器件栅极结构和底部介质层的顶部，所述第一介质层的延伸方向与器件栅极结构的延伸方向相同，所述第一介质层露出所述器件栅极结构的部分顶面； 第二介质层，位于所述基底的顶部，且覆盖所述器件栅极结构的顶部和所述第一介质层的侧壁，所述第二介质层顶部与所述第一介质层的顶部相齐平； 第一栅极插塞，位于所述隔离区中，且贯穿所述器件栅极结构顶部的所述第二介质层，并与所述第一介质层露出的所述器件栅极结构的顶部电连接，所述第一栅极插塞用于加载第一电位； 第二栅极插塞，位于所述工作区中，且贯穿所述器件栅极结构顶部的所述第二介质层，所述第二栅极插塞与所述工作区的器件栅极结构电连接，所述第二栅极插塞用于加载第二电位，所述第二电位和第一电位为相反电位。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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