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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种基于脉冲直流电压的电化学DNA合成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116180110B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310073436.2，技术领域涉及：C25B3/07；该发明授权一种基于脉冲直流电压的电化学DNA合成方法是由赵祥伟;朱琦镇;肖鹏峰设计研发完成，并于2023-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于脉冲直流电压的电化学DNA合成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于脉冲直流电压的电化学DNA合成方法，包括以下步骤：在电极表面进行羟基化修饰，得到修饰电极；将亚磷酰胺合成单体与活化剂混合而成的活性中间体与修饰电极上的羟基活性位点进行偶联，形成亚磷酸三酯键；用无水乙腈冲洗修饰电极后，将氧化剂滴加在修饰电极上进行氧化，亚磷酸三酯键被氧化剂氧化为稳定的磷酸酯键；采用电化学脱保护将DMT保护基团脱去，以暴露出羟基活性位点，用于下一个碱基的添加；重复以上步骤，进行寡核苷酸序列的合成。本发明电化学脱保护步骤中氢离子的生成更加均匀，可以在减缓金电极金层脱落、延长金电极使用寿命的同时，保障和提高DNA的合成质量。

本发明授权一种基于脉冲直流电压的电化学DNA合成方法在权利要求书中公布了：1.一种基于脉冲直流电压的电化学DNA合成方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一，在电极表面进行羟基化修饰，得到修饰电极； 步骤二，将亚磷酰胺合成单体与活化剂混合而成的活性中间体与修饰电极上的羟基活性位点进行偶联，形成亚磷酸三酯键，亚磷酰胺合成单体为dA-DMT、dT-DMT、dG-DMT或dC-DMT； 步骤三，用无水乙腈冲洗修饰电极后，将氧化剂滴加在修饰电极上进行氧化，亚磷酸三酯键被氧化剂氧化为稳定的磷酸酯键； 步骤四，采用电化学脱保护将DMT保护基团脱去，以暴露出羟基活性位点，用于下一个碱基的添加； 步骤五，重复以上步骤，进行寡核苷酸序列的合成； 所述步骤四中，电化学脱保护为：在通电的条件下，将脉冲电流作为输入，在阳极表面原位生成氢离子，将DMT保护基团脱去； 所述脉冲电流是方向不变、强度不断变化的电流； 所述脉冲电流的波形为方波、正弦波、三角波和锯齿波中的任意一种或多种，其占空比为1%~99%，施加电位为1mV~10V，每次的电位施加时间为1ms~120s。

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