湖北九峰山实验室吴阳阳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利半导体外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451181B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411547374.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体外延结构及其制备方法是由吴阳阳;郭飞;袁俊;王宽;成志杰;陈伟设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体外延结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。半导体外延结构包括：掺杂衬底、设置于掺杂衬底上的掺杂漂移区和设置于掺杂漂移区上的掺杂电流扩散层；其中，掺杂漂移区中设置有多个周期性间断的掺杂埋层；任意相邻两个掺杂埋层之间通过至少一个掺杂连接区连接；掺杂衬底、掺杂漂移区和掺杂电流扩散层的掺杂类型为第一类型；掺杂埋层和掺杂连接区的掺杂类型为第二类型；第一类型与第二类型不同。设置于掺杂漂移区中的掺杂埋层可以降低靠近外延表面的器件结构所承受的来自漏极的电场，保证器件结构的可靠性；掺杂连接区可以将所有掺杂埋层短接在一起，方便实现掺杂埋层接地；通过该半导体外延结构可降低器件制备的成本。
本发明授权半导体外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体外延结构，其特征在于，所述半导体外延结构包括：掺杂衬底、设置于所述掺杂衬底上的掺杂漂移区和设置于所述掺杂漂移区上的掺杂电流扩散层；其中，所述掺杂漂移区中设置有多个周期性间断的掺杂埋层；任意相邻两个掺杂埋层之间通过至少一个掺杂连接区连接； 所述掺杂衬底、所述掺杂漂移区和所述掺杂电流扩散层的掺杂类型为第一类型；所述掺杂埋层和所述掺杂连接区的掺杂类型为第二类型；所述第一类型与所述第二类型不同；所述掺杂埋层的横截图形状为阶梯状T形时，相邻两个掺杂埋层的横截图形状分别为：正阶梯状T形和倒阶梯状T形；所述掺杂埋层的横截图形状为三角形时，相邻两个掺杂埋层的横截图形状分别为：正三角形和倒三角形；两个相邻的所述掺杂埋层在垂直于衬底的方向上的重叠面积大于等于0；所述掺杂电流扩散层的掺杂浓度大于等于所述掺杂漂移区的掺杂浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北九峰山实验室，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励