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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种错层单元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562591B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411610484.1，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种错层单元及其制备方法是由殷华湘;曹磊;张青竹;姚佳欣设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种错层单元及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种错层单元及其制备方法，可以应用于半导体技术领域。该错层单元包括：在衬底上表面沿第一水平方向各自排布的第一组场效应晶体管和第二组场效应晶体管；包围衬底、第一组场效应晶体管和第二组场效应晶体管的居间介质层；与第一组场效应晶体管中拉电晶体管的栅堆叠相接的第一错层接触孔，在居间介质层中延伸至衬底的下表面并穿过衬底与第二组场效应晶体管的公共层相接，从而与用于将第二组场效应晶体管中拉电晶体管的栅堆叠和第一组场效应晶体管的公共层相连接的第二错层接触孔构成错层结构，使得第一组场效应晶体管和第二组场效应晶体管彼此之间交叉耦合。

本发明授权一种错层单元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种错层单元，包括： 在衬底上表面沿第一水平方向各自排布的第一组场效应晶体管和第二组场效应晶体管；以及 包围所述衬底、所述第一组场效应晶体管和所述第二组场效应晶体管的居间介质层； 其中，所述第一组场效应晶体管和所述第二组场效应晶体管各自包括传输晶体管和叠置的拉电晶体管，所述叠置的拉电晶体管包括沿竖直方向叠置的下拉晶体管和上拉晶体管； 所述传输晶体管、所述下拉晶体管和所述上拉晶体管各自包括：沟道层；在所述沟道层在所述第一水平方向上的两侧与所述沟道层相接的源漏层；在与所述第一水平方向相交的第二水平方向上延伸并围绕所述沟道层的栅堆叠；属于同组的下拉晶体管、上拉晶体管和传输晶体管之间经由公共层耦接； 与所述第一组场效应晶体管中拉电晶体管的栅堆叠相接的第一错层接触孔，在所述居间介质层中延伸至所述衬底的下表面并穿过所述衬底与所述第二组场效应晶体管的公共层相接，从而与用于将所述第二组场效应晶体管中拉电晶体管的栅堆叠和所述第一组场效应晶体管的公共层相连接的第二错层接触孔构成错层结构，使得所述第一组场效应晶体管和所述第二组场效应晶体管彼此之间交叉耦合。

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