华虹半导体(无锡)有限公司范晓获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119601531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411220334.X，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及其形成方法是由范晓;常富强设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：形成基底；采用第一刻蚀深度，对所述基底进行通孔刻蚀，以得到盲孔；采用第二刻蚀深度，对所述基底进行凹坑刻蚀，同时对所述盲孔进行补刻蚀，以得到凹坑和通孔，其中，所述通孔位于所述凹坑内；在所述基底上形成隔离材料叠层，所述隔离材料叠层覆盖所述基底的表面、所述凹坑的底部表面和侧壁表面，以及所述通孔的侧壁表面。本发明可以有效减少工艺限制，降低生产成本，提高生产效率。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 形成基底； 采用第一刻蚀深度，对所述基底进行通孔刻蚀，以得到盲孔； 采用第二刻蚀深度，对所述基底进行凹坑刻蚀，同时对所述盲孔进行补刻蚀，以得到凹坑和通孔，其中，所述通孔位于所述凹坑内； 在所述基底上形成隔离材料叠层，所述隔离材料叠层覆盖所述基底的表面、所述凹坑的底部表面和侧壁表面，以及所述通孔的侧壁表面；其中， 所述基底上具有逻辑电路区域和像素区域，所述凹坑形成于所述逻辑电路区域的所述基底背面； 在所述凹坑和所述通孔内形成衬垫结构； 在所述像素区域的所述基底背面上形成格栅结构； 所述格栅结构的多层结构中的至少一部分与所述衬垫结构的多层结构的至少一部分依次采用同一工艺形成。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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