北京科技大学丁秀萍获国家专利权
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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种电磁屏蔽材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119603945B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411679769.0，技术领域涉及：H05K9/00；该发明授权一种电磁屏蔽材料及其制备方法是由丁秀萍;黄进峰设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电磁屏蔽材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种电磁屏蔽材料及其制备方法，所述电磁屏蔽材料包括具有褶皱拓扑结构的可自支撑的导电薄膜，所述导电薄膜的厚度为20nm‑500nm。本申请提供的电磁屏蔽材料，单位面积电磁屏蔽强度高，比表面积小、易集成，单位面积电磁屏蔽强度可调节。本申请提供的电磁屏蔽材料的制备方法，制备步骤简单、制备成本低。
本发明授权一种电磁屏蔽材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电磁屏蔽材料，其包括具有褶皱拓扑结构的可自支撑的导电薄膜； 所述电磁屏蔽材料通过以下方法制备： S1.在经过预拉伸的形状记忆聚合物基底上制备牺牲层； S2.在所述牺牲层表面制备平整导电薄膜； S3.加热所述形状记忆聚合物基底，使所述平整导电薄膜收缩，形成具有褶皱拓扑结构的导电薄膜； S4.溶解所述牺牲层，分离所述形状记忆聚合物基底，得到所述电磁屏蔽材料。
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