中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))何玉娟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))申请的专利一种纳米FinFET器件大气中子辐射与经时击穿的试验方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119644083B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411740966.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种纳米FinFET器件大气中子辐射与经时击穿的试验方法是由何玉娟;章晓文;雷志锋;张战刚;彭超;马腾;张鸿;恩云飞;杨银堂设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纳米FinFET器件大气中子辐射与经时击穿的试验方法在说明书摘要公布了：本发明公开提供了一种纳米FinFET器件大气中子辐射与经时击穿的试验方法，包括综合效应试验装置，将样品放入综合效应试验装置内，对样品施加大气中子辐射束线，通过所述综合效应试验装置对样品施加电压和温度；通过实验计算出样品的寿命时间，本发明在大气中子辐射环境中，对纳米FinFET器件进行经时击穿试验测试，以评估纳米FinFET器件在地面和飞行高度上的综合应力影响，无需单独进行两次试验进行评估，更加方便、快捷。
本发明授权一种纳米FinFET器件大气中子辐射与经时击穿的试验方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米FinFET器件大气中子辐射与经时击穿的试验方法，其特征在于，包括综合效应试验装置，所述方法包括以下步骤， S1、将样品放置于所述综合效应试验装置内； S2、对样品施加大气中子辐射束线，通过所述综合效应试验装置对样品施加电压和温度； S3、判断样品是否被击穿； S4、如果样品被击穿，判断大气中子辐照总注量是否达到额定总注量，如果中子辐照总注量已经达到额定总注量，记录寿命时间；如果中子辐照总注量没有达到额定总注量，计算出寿命时间τ； S5、如果样品没有被击穿，计算中子辐照总注量是否达到额定总注量； S6、如果中子辐照总注量没有达到了额定总注量，转而返回步骤S3； S7、如果中子辐照总注量达到了额定总注量，则停止施加大气中子辐射束线，继续保持施加电压和温度；转而返回步骤S3。
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