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龙图腾网获悉中国科学院西安光学精密机械研究所申请的专利一种量子点-纳米线雪崩二极管单光子探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653879B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411728400.4，技术领域涉及：H10F30/29；该发明授权一种量子点-纳米线雪崩二极管单光子探测器及其制备方法是由王捷英;王兴;乔凯;尹飞;常宇;胡炳樑设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种量子点-纳米线雪崩二极管单光子探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种雪崩二极管单光子探测器及其制备方法，特别涉及一种量子点‑纳米线雪崩二极管单光子探测器及其制备方法，解决了现有单光子探测器探测效率低及采用现有方法提升时制备难度大提升作用有限的问题。该探测器包括探测器N+衬底、间隔设在其上表面的多个量子点‑纳米线单元，还包括钝化层、P型电极及N型电极；量子点‑纳米线单元包括半导体纳米线、多孔纳米材料层及量子点材料层；半导体纳米线包括重掺杂N+层、无掺杂I型层及重掺杂P+层；多孔纳米材料层覆盖半导体纳米线；量子点材料层覆盖多孔纳米材料层；钝化层填补在量子点‑纳米线单元之间；P型电极生长在量子点‑纳米线单元顶部；N型电极生长在探测器N+衬底上表面上。

本发明授权一种量子点-纳米线雪崩二极管单光子探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种量子点-纳米线雪崩二极管单光子探测器，其特征在于： 包括探测器N+衬底1、间隔排布设置在探测器N+衬底1上表面上的多个量子点-纳米线单元，还包括钝化层6、P型电极7以及N型电极2； 每个所述量子点-纳米线单元包括半导体纳米线3、多孔纳米材料层4以及量子点材料层5； 所述半导体纳米线3包括重掺杂N+层31、无掺杂I型层32以及重掺杂P+层33；所述重掺杂N+层31外延生长在探测器N+衬底1上表面上，其外形为下大上小的锥状；所述无掺杂I型层32外延生长在重掺杂N+层31的外表面上，将重掺杂N+层31覆盖，其下端面与探测器N+衬底1上表面之间留有间隔，该间隔的距离尺寸符合以下条件：使无掺杂I型层32与探测器N+衬底1之间形成电学隔离；所述重掺杂P+层33外延生长在无掺杂I型层32的外表面上，将无掺杂I型层32覆盖，其下端面与探测器N+衬底1上表面之间留有间隔，该间隔的距离尺寸符合以下条件：使重掺杂P+层33与探测器N+衬底1之间形成电学隔离； 所述多孔纳米材料层4生长在半导体纳米线3的外表面上，将半导体纳米线3覆盖；所述量子点材料层5涂覆在多孔纳米材料层4的外表面上，将多孔纳米材料层4覆盖；所述量子点材料层5用于吸收光子；所述多孔纳米材料层4用于吸收光生激子并实现电子与空穴分离；所述半导体纳米线3用于实现光生载流子倍增； 所述钝化层6填补在各量子点-纳米线单元之间的间隙位置和将所有量子点-纳米线单元包围在内的外围一圈位置；钝化层6的上表面平行于探测器N+衬底1上表面，且量子点-纳米线单元的顶部伸出钝化层6的上表面； 所述P型电极7生长在各量子点-纳米线单元顶部伸出钝化层6上表面的伸出部分的外表面上，其下表面与钝化层6的上表面共面，将钝化层6的上表面和各量子点-纳米线单元顶部伸出钝化层6上表面的伸出部分的外表面覆盖； 所述N型电极2生长在探测器N+衬底1上表面上，且位于钝化层6外轮廓的外侧位置。

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