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龙图腾网获悉中国科学院西安光学精密机械研究所申请的专利一种量子点-垂直线型雪崩二极管单光子探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653880B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411728402.3，技术领域涉及：H10F30/29；该发明授权一种量子点-垂直线型雪崩二极管单光子探测器及其制备方法是由王捷英;王兴;乔凯;尹飞;常宇;胡炳樑设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种量子点-垂直线型雪崩二极管单光子探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种雪崩二极管单光子探测器及其制备方法，特别涉及一种量子点‑垂直线型雪崩二极管单光子探测器及其制备方法，解决了现有单光子探测器探测效率低及采用现有方法提升时制备难度大、成本高、作用有限的问题。该探测器包括探测器N+衬底、生长在其下表面的背面电极、阵列间隔设在其上表面的多个量子点‑垂直线单元，还包括钝化层和正面电极；量子点‑垂直线单元包括半导体垂直线结构、多孔纳米材料层及量子点材料层；半导体垂直线结构生长在探测器N+衬底上表面；多孔纳米材料层将半导体垂直线结构覆盖；量子点材料层将多孔纳米材料层覆盖；钝化层填补在量子点‑垂直线单元之间；正面电极生长在量子点‑垂直线单元伸出钝化层的部分。

本发明授权一种量子点-垂直线型雪崩二极管单光子探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种量子点-垂直线型雪崩二极管单光子探测器，其特征在于： 包括探测器N+衬底1、生长在探测器N+衬底1下表面的背面电极2、阵列间隔排布设置在探测器N+衬底1上表面上的多个量子点-垂直线单元，还包括钝化层6和正面电极7； 每个所述量子点-垂直线单元包括半导体垂直线结构3、多孔纳米材料层4以及量子点材料层5； 所述半导体垂直线结构3生长在探测器N+衬底1上表面上，包括由下至上依次外延生长的重掺杂N+层31、无掺杂I型层32、轻掺杂P-层33以及重掺杂P+层34；所述多孔纳米材料层4生长在半导体垂直线结构3的外表面上，将半导体垂直线结构3覆盖；所述量子点材料层5涂覆在多孔纳米材料层4的外表面上，将多孔纳米材料层4覆盖；所述量子点材料层5用于吸收光子；所述多孔纳米材料层4采用多孔石墨烯材料；所述半导体垂直线结构3用于实现光生载流子倍增； 所述钝化层6填补在各量子点-垂直线单元之间的间隙位置和将所有量子点-垂直线单元包围在内的外围一圈位置；钝化层6上表面平行于探测器N+衬底1上表面，且高于重掺杂P+层34的下表面，量子点-垂直线单元的顶部伸出钝化层6的上表面； 所述正面电极7生长在各量子点-垂直线单元顶部伸出钝化层6上表面的伸出部分的外表面上，其下表面与钝化层6的上表面共面，将钝化层6的上表面和各量子点-垂直线单元顶部伸出钝化层6上表面的伸出部分的外表面覆盖。

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