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龙图腾网获悉北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所申请的专利一种用于图像传感器的多芯片共面拼接结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653887B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411724165.3，技术领域涉及：H10F39/95；该发明授权一种用于图像传感器的多芯片共面拼接结构的制作方法是由李菁萱;井立鹏;练滨浩;徐树鹏;李洪剑设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于图像传感器的多芯片共面拼接结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明属于属于传感器封装工艺领域，具体涉及了一种用于图像传感器的多芯片共面拼接结构的制作方法，旨在解决多芯片共面拼接结构平整度较差的问题。本发明采用高刚度的转接板作为基面，将粘片区域优化成均一的平面，且利用转接板自带的定位球进行共面性定位。本发明通过使用一次芯片贴装的方式，保证拾取、贴装、加压的过程中，始终保证所有芯片受力均匀，可有效提升多芯片共面拼接的共面性，减少误差。

本发明授权一种用于图像传感器的多芯片共面拼接结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种用于图像传感器的多芯片共面拼接结构的制作方法，其特征在于步骤如下： 步骤一、利用粘接材料5，采用丝网印刷的方式，在装片区域2上形成网格阵列形式的胶块； 步骤二、使用转接板专用吸头7将高刚度的转接板6放置在处理后的装片区域2上；所述转接板6背离粘接材料5的正面自带定位球，转接板自带的定位球的共面性≤10μm； 步骤三、在转接板6上方放置限位片8，按照粘接材料5的固化指标要求进行固化； 步骤四、选用低粘度粘片胶9对转接板6与装片区域2之间的缝隙进行填胶处理，将转接板6与装片区域2之间的缝隙中填满低粘度粘片胶9； 步骤五、保持转接板6上方放置限位片8，选择低粘度粘片胶9的固化温度和转接板6正面定位球的熔点之间的温度进行固化，利用限位片8重力控制转接板6正面定位球上表面的共面性； 步骤六、选用UV快速固化粘片胶10，在转接板6上表面的芯片位置的四角分别点胶，使用多芯片专用吸头12将多个芯片11同时吸取并放置在设定位置上，同时施加压力，将芯片固定住，利用转接板自带的定位球进行共面性定位，芯片安装在定位球上方，利用定位球放置在芯片下方作为支撑，使上层芯片能够在同一个平面上，同时使用UV照射，使芯片快速固化； 步骤七、选用低粘度粘片胶9对转接板6与芯片11之间的缝隙进行填胶处理，将转接板6与芯片11之间的缝隙中填满低粘度粘片胶9； 步骤八、按照低粘度粘片胶9的固化指标要求进行固化。

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