广州天赐高新材料股份有限公司王文炼获国家专利权
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龙图腾网获悉广州天赐高新材料股份有限公司申请的专利二次电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119674235B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411742098.8，技术领域涉及：H01M10/0567；该发明授权二次电池是由王文炼;郑宁;范超君;范伟贞;史利涛设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本二次电池在说明书摘要公布了：本申请提出了二次电池，所述二次电池包括：负极极片和电解液；所述负极极片包括硅基负极材料；所述电解液包括第一添加剂和第二添加剂；所述第一添加剂包括氟代碳酸乙烯酯；所述第二添加剂包括式I所示化合物：本申请的二次电池采用硅基负极材料，具有致密且稳定的界面膜，减少电池的副反应，提升电池的常温循环性能、高温循环性能、高温存储性能和低温放电性能。
本发明授权二次电池在权利要求书中公布了：1.一种二次电池，其特征在于，包括：负极极片和电解液； 所述负极极片包括硅基负极材料； 所述电解液包括第一添加剂和第二添加剂； 所述第一添加剂包括氟代碳酸乙烯酯； 所述第二添加剂包括式4所示化合物；或，式I所示化合物： 式4； 式I，在式I所示化合物中： R1、R2和R3各自独立的包括H、F、C1-C4的烷基、C1-C4的氟代烷基、C2-C4的烯基、C2-C4的氟代烯基、C2-C4的炔基、C5-C7的环烷烃、R4取代苯基和R5取代苯甲基中任意一个； R4和R5各自独立地选自H、C1-C4的烷基、C2-C4的烯基、C2-C4的炔基、C1-C4的氟代烷基、C2-C4的氟代烯基中的任意一种， 所述硅基负极材料中硅元素的质量占比为A，所述电解液中所述第一添加剂的质量占比为B，所述电解液中所述第二添加剂的质量占比为C，A为1%~50%，B为3%~15%，C为0.05%~5%，A、B和C满足： 。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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