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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种氧化镓异质结的MOSFET器件及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677125B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411751247.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种氧化镓异质结的MOSFET器件及制作方法是由冯倩;罗子翔;王垚;武文凯;刘民伟;张进成设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化镓异质结的MOSFET器件及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧化镓异质结MOSFET器件及制作方法，主要解决现有同类器件导通电阻高的问题。其包括：漏极1、Ga2O3衬底2、Ga2O3外延层3、注入有受主离子的Ga2O3层4，栅极8和源极9，其中注入有受主离子的Ga2O3层4上依次设有无意掺杂Ga2O3层5和AlGaO层6，以形成异质结；该AlGaO层6的中间设有沟槽，沟槽内壁上设有绝缘栅介质层7；栅极8位于该绝缘栅介质层的上部；源极9位于AlGaO层6的两端。本发明通过引入的异质结产生了二维电子气2DEG，提高了具载流子的迁移率，减小了导通电阻，提升了导通电流，可用作功率和高压开关器件。

本发明授权一种氧化镓异质结的MOSFET器件及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓异质结MOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： S1利用MBE工艺，在n+β-Ga2O3衬底层2上沉积厚度为4-10um的β-Ga2O3材料，形成n-β-Ga2O3外延层3； S2利用MOCVD工艺，在Ga2O3外延层3上沉积厚度为400-800nm的β-Ga2O3材料，形成注入有受主离子的Ga2O3层4； S3利用MOCVD工艺，在注入有受主离子的Ga2O3层4上沉积厚度为100-200nm的β-Ga2O3材料，形成无意掺杂n型Ga2O3层5； S4利用MOCVD工艺，在无意掺杂n型Ga2O3层5上沉积厚度为20-30nm的AlGaO材料，形成掺有Si的高掺AlGaO层6； S5利用RIE工艺，在所述AlGaO层6表面刻蚀出沟槽，其底部抵至Ga2O3外延层3中,深度为4um-6um； S6利用ALD工艺，在所述沟槽内壁及所述AlGaO层6上沉积厚度为20-60nm的Al2O3，形成绝缘栅介质层7； S7利用E-Beam工艺，在绝缘栅介质层7上沉积20-60nm120-250nm的NiAu后，再放入丙酮溶液进行剥离，形成栅极8； S8利用E-Beam工艺，在所述AlGaO层6的两端上沉积20-60nm120-250nm的TiAu后，再在300-550℃的N2气氛下进行1-3min退火，形成源极9； S9利用E-Beam工艺，在所述Ga2O3衬底层2背面沉积20-60nm120-250nm的TiAu后，再在300-550℃的N2气氛下进行1-3min退火，形成漏极1，完成器件制作。

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