南京邮电大学智婷获国家专利权
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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677221B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411866449.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极、制备方法及应用是由智婷;王汉成;赵强;汪金;薛俊俊设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极、制备方法及应用，属于电极技术领域；光电极制备过程包括：将n‑GaN晶圆切割后冲洗后吹干；将CoNO32、NaIO3和甲醇混合配置成溶液A，然后将n‑GaN晶圆放入溶液A中，接着在紫外光下光沉积；冲洗后再用氮气干燥，得到带有Co3O4纳米粒子的n‑GaN晶圆样品；将Na2SO3水溶液与CuSO4水溶液混合搅拌得到溶液B；将带有Co3O4纳米粒子的n‑GaN晶圆样品悬挂于溶液B中水浴加热，并滴加NaOH溶液，之后冲洗过后再用氮气干燥，得到氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极；将氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极干燥定型，得益于合理的Co3O4Cu2O装饰，在365nm光照下实现了的高响应和快速响应恢复时间。
本发明授权一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将n-GaN晶圆切割后冲洗后吹干；将CoNO32、NaIO3和甲醇混合配置成溶液A，然后将n-GaN晶圆放入溶液A中，接着在紫外光下光沉积；冲洗后再用氮气干燥，得到带有Co3O4纳米粒子的n-GaN晶圆样品； 将Na2SO3水溶液与CuSO4水溶液混合搅拌得到溶液B；将带有Co3O4纳米粒子的n-GaN晶圆样品悬挂于溶液B中水浴加热，并滴加NaOH溶液，之后冲洗过后再用氮气干燥，得到氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极； 将氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极干燥定型。
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