电子科技大学李发明获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种具有高开路电压的宽带隙钙钛矿太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677290B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411770285.7，技术领域涉及：H10K30/50；该发明授权一种具有高开路电压的宽带隙钙钛矿太阳能电池及其制备方法是由李发明;黄正鑫;刘明侦设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有高开路电压的宽带隙钙钛矿太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种具有高开路电压的宽带隙钙钛矿太阳能电池及其方法，是通过在宽带隙钙钛矿太阳能电池的钙钛矿吸光层下方引入乙二胺、苯乙胺的衍生物分子及其相应的卤化物盐材料作为埋底界面修饰层，实现了电池性能的显著提升。乙二胺、苯乙胺的衍生物分子及其相应的卤化物盐材料能够提供自由电子对，与钙钛矿中的未配位Pb2+离子形成稳定的配位结构，实现对钙钛矿结晶动力学的调控。本发明改善宽带隙钙钛矿薄膜的结晶质量，具有着促进高效三结叠层电池技术快速发展的潜力。
本发明授权一种具有高开路电压的宽带隙钙钛矿太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高开路电压的宽带隙钙钛矿太阳能电池，其特征在于：包括ITO导电玻璃，在ITO导电玻璃上依次沉积的空穴传输层、埋底界面修饰层、宽带隙钙钛矿吸光层、宽带隙钙钛矿吸光层、电子传输层、缓冲层和金属电极层；其中： 所述埋底界面修饰层为乙二胺、苯乙胺的衍生物分子及其相应的卤化物盐中的至少一种所制得的薄膜； 所述空穴传输层为NiOx与Me-4PACz制成的复合结构； 所述电子传输层采用的材料为PCBM；缓冲层采用的材料为BCP。
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