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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种碳基全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677374B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411799973.6，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种碳基全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池及其制备方法是由郭文滨;刘稳稳;刘春雨;邓艳宇;李保霖;高涵笑设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳基全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：一种碳基全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明以SnCl2·2H2O、硫脲和PbBr2为原料，在氧气或空气氛围完成了SnO2量子点溶液的制备，氧气促进了SnCl2的水解脱水氧化过程，加速了SnO2的合成进程，缩短了反应时间，并且减少了氧空位缺陷Vo的产生，从而降低了载流子在SnO2钙钛矿界面处缺陷诱导的复合损耗，促进了界面载流子提取和传输；同时，引入的铅间隙缺陷Pbi提高了制备的SnO2电子传输层的电导率，该发明为SnO2量子点溶液的快速合成以及金属离子掺杂提供了新思路，提高了碳基全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。

本发明授权一种碳基全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳基全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池的制备方法，其步骤如下： 1制备SnO2量子点溶液：将135.4～270.8mg的SnCl2·2H2O、45.1～90.1mg的硫脲以及0.2～22mg的PbBr2加入5～10mL去离子水中，在氧气或空气氛围下剧烈搅拌12～24h得到黄色澄清溶液；或将135.4～270.8mg的SnCl2·2H2O和45.1～90.1mg的硫脲加入5～10mL去离子水中，在氧气氛围下剧烈搅拌12～24h得到黄色澄清溶液；再使用0.22μm的PTFE滤头过滤，得到SnO2量子点溶液； 2制备FTO导电玻璃基片：将FTO导电玻璃用去离子水、无水乙醇、丙酮、异丙醇依次超声处理10～20min，氮气吹干后再进行等离子清洗15～30min，得到FTO导电玻璃基片； 3制备SnO2电子传输层：将步骤1得到的SnO2量子点溶液和步骤2得到的FTO导电玻璃基片在60～90℃下预热5～10min，随后将Pb掺杂的SnO2量子点溶液以1500～4000rpm的转速在FTO导电玻璃基片上旋涂20～40s，再在170～220℃下退火30～90min，最后自然冷却至室温，从而在FTO导电玻璃基片上得到厚度为20～40nm的SnO2电子传输层； 4用两步法制备CsPbBr3钙钛矿光活性层 ①将330～403.7mgPbBr2溶于1mL的N,N-二甲基甲酰胺DMF中，60～90℃下加热并搅拌3～8小时，得到PbBr2溶液；将200～240mgCsBr溶于1mL去离子水中，得到CsBr溶液； ②将步骤3得到的FTO导电玻璃基片和PbBr2溶液在70～100℃预热5～10min，然后将PbBr2溶液旋涂于FTO导电玻璃基片表面的SnO2电子传输层上，旋涂转速为1500～3000rpm，旋涂时间为20～40s，旋涂完成后在70～100℃下退火10～40min，然后自然冷却至室温，从而得到PbBr2层； ③将CsBr溶液滴于PbBr2层表面，停留5～30s后开始旋涂，旋涂转速为1500～3000rpm，旋涂时间为20～40s；然后240～280℃下退火5～20min，从而在SnO2电子传输层上得到厚度为400～650nm的CsPbBr3钙钛矿光活性层； 5将碳浆刮涂在CsPbBr3钙钛矿光活性层上，100～120℃下退火20～40min，得到的碳电极的厚度为5～20μm，从而得到碳基全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池。

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