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龙图腾网获悉无锡沧海云帆电子科技有限公司申请的专利离子注入剂量的监控方法、计算机设备、存储介质及产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119694914B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411767420.2，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权离子注入剂量的监控方法、计算机设备、存储介质及产品是由金阳设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本离子注入剂量的监控方法、计算机设备、存储介质及产品在说明书摘要公布了：本发明涉及离子注入处理技术领域，公开了一种离子注入剂量的监控方法、计算机设备、存储介质及产品，方法包括：对半导体晶圆进行离子注入处理；确定离子注入处理后半导体晶圆的第一反射率；基于第一反射率，监控离子注入剂量。本发明通过半导体晶圆表面的反射率监控离子注入剂量及其稳定性，可以避免某些离子如氢离子、氦离子等掺杂后因为高温激活后晶圆表面产生剥离，导致无法测量方块电阻来反映掺杂离子的剂量及其稳定性。

本发明授权离子注入剂量的监控方法、计算机设备、存储介质及产品在权利要求书中公布了：1.一种离子注入剂量的监控方法，其特征在于，所述方法包括： 对半导体晶圆进行离子注入处理，其中，所述半导体晶圆为绝缘体上硅结构制备过程中需要裂片的晶圆； 确定离子注入处理后所述半导体晶圆的第一反射率； 基于所述第一反射率，监控离子注入剂量；所述基于所述第一反射率，监控离子注入剂量包括：基于所述第一反射率，监控离子注入剂量是否稳定； 所述基于所述第一反射率，监控离子注入剂量是否稳定，包括： 基于第一对应关系确定的1%的离子注入剂量变化所对应的第一反射率变化值和第一预设反射率，确定第一反射率变化范围，其中，所述第一对应关系用于表征所述第一反射率对离子注入剂量的敏感性，所述第一预设反射率为前N个月检测得到的离子半导体晶圆进行离子注入处理后的绝对反射率的平均值，N大于0； 若所述第一反射率处于所述第一反射率变化范围内，则离子注入剂量稳定； 所述基于所述第一反射率，监控离子注入剂量，还包括： 基于所述第一反射率，确定离子注入剂量是否处于目标剂量波动范围内； 在离子注入剂量稳定且未处于所述目标剂量波动范围内时，继续对所述半导体晶圆进行离子注入处理； 在离子注入剂量不稳定或离子注入剂量处于所述目标剂量波动范围内时，停止对所述半导体晶圆进行离子注入处理。

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