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龙图腾网获悉中国科学院西安光学精密机械研究所申请的专利一种作为校准源的电感耦合氪等离子体驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119696576B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411705679.4，技术领域涉及：H03L7/26；该发明授权一种作为校准源的电感耦合氪等离子体驱动电路是由郑锦坤;庞子良;苗怡鑫;王博;张一凡;李银林;鞠子尚;白永林设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种作为校准源的电感耦合氪等离子体驱动电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种作为校准源的电感耦合氪等离子体驱动电路，用于解决现有无电极驱动氪等离子体驱动电路由于存在大电流，其能量损耗比较大，且等离子体的驱动频率会产生漂移，造成氪等离子体激发不稳定的技术问题。本发明提供的一种作为校准源的电感耦合氪等离子体驱动电路，采用基于碳化硅的NMOS管搭建全桥逆变电路，再通过两个反相设置的第一栅极驱动器控制四个功率开关管的顺序导通与截止，实现射频信号的放大，有效改善了电路开关损耗，降低了MOS管发热量；同时本发明具有较好的稳定可靠性和精确度，保证了氪等离子体的有效激发，提高了等离子的发光强度，解决等了离子体定标光源寿命较短的问题。

本发明授权一种作为校准源的电感耦合氪等离子体驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种作为校准源的电感耦合氪等离子体驱动电路，其特征在于： 包括射频信号发生模块、射频放大模块以及高压产生模块； 所述射频信号发生模块，用于产生射频信号； 所述射频放大模块包括全桥逆变电路和驱动模块； 所述全桥逆变电路包括上半桥和下半桥；上半桥包括功率开关管Q1和功率开关管Q2，下半桥包括功率开关管Q3和功率开关管Q4； 所述功率开关管Q1、功率开关管Q2、功率开关管Q3、功率开关管Q4均为基于碳化硅的NMOS管；功率开关管Q1的漏极连接功率开关管Q2的漏极，功率开关管Q3的源极连接功率开关管Q4的源极，功率开关管Q1的源极与功率开关管Q3的漏极连接后作为输出A端，功率开关管Q2的源极和功率开关管Q4的漏极连接后作为输出B端； 所述高压产生模块的输入端连接射频信号发生模块的输出端，其输出端连接功率开关管Q1的漏极和功率开关管Q2的漏极，用于将射频信号的电压升高以向全桥逆变电路供电； 所述驱动模块包括两个第一栅极驱动器和第一整形电路；一个第一栅极驱动器的IN+端连接射频信号发生模块的输出端，用于将射频信号直接输入相应的第一栅极驱动器中进行转换并增强；另一个第一栅极驱动器的IN+端通过第一整形电路连接射频信号发生模块的输出端，用于将射频信号反相后输入相应的第一栅极驱动器中进行转换并增强；两个第一栅极驱动器的IN-端相互连接并接地； 所述功率开关管Q2的栅极和功率开关管Q3的栅极分别连接一个第一栅极驱动器的两个输出端，功率开关管Q1的栅极和功率开关管Q4的栅极分别连接另一个第一栅极驱动器的两个输出端，用于根据两个第一栅极驱动器输出的增强信号控制四个功率开关管的顺序导通与截止，实现射频信号的放大，以激发氪等离子体。

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