东南大学叶然获国家专利权
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龙图腾网获悉东南大学申请的专利静电放电/电气过载保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698071B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411866358.2，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电放电/电气过载保护电路是由叶然;崔可;胡志强;刘斯扬;孙伟锋设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电放电/电气过载保护电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种静电放电电气过载保护电路，属于集成电路领域，该保护电路设置在电压源和电子设备之间，采用金属氧化物半导体场效应管设置钳位电压的静电放电电气过载保护电路，在静电放电电气过载来袭时，能将电压大小钳位在金属氧化物半导体场效应管源漏的击穿电压，用自身寄生的二极管作钳位电路，并且能够快速泄放电流。本发明解决了现有技术中保护电路采用较多二极管串并联占用面积较大，泄放电流能力较差的问题。
本发明授权静电放电/电气过载保护电路在权利要求书中公布了：1.一种静电放电电气过载保护电路，连接在电压源与电子设备之间，其特征在于，包括： 参考电路，用于在外界电压源电压高于钳位电压时开启反馈控制电路，将电压钳位在设定的电压上； 反馈控制电路，用于静电放电电气过载电压来袭时快速泄放电流； 所述参考电路由P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管PM0、第一电阻R0构成； 所述反馈控制电路由齐纳二极管D0、第二电阻R1、N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管NM0构成； 所述参考电路中P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管PM0的栅极连接第一电阻R0的一端，第一电阻R0的另一端和P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管PM0的源极均连接电压源正极，P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管PM0的漏极连接齐纳二极管D0的阴极、第二电阻R1的一端、N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管NM0的栅极；第二电阻R1与齐纳二极管D0并联，齐纳二极管D0的阳极、第二电阻R1的另一端和N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管NM0的源极均接电压源负极，N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管NM0的漏极接电压源正极。
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