武汉风帆电化科技股份有限公司张红利获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉风帆电化科技股份有限公司申请的专利低碱晶硅刻蚀液添加剂、刻蚀液及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119736090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411911863.4，技术领域涉及：C09K13/08；该发明授权低碱晶硅刻蚀液添加剂、刻蚀液及方法是由张红利;王池;罗江;张帅;李杨;李强;喻超设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本低碱晶硅刻蚀液添加剂、刻蚀液及方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种低碱晶硅刻蚀液添加剂，包括：葡萄糖、乳酸钠、苯磺酸钠、盐酸、含磺酸根表面活性剂和水。本发明的低碱晶硅刻蚀添加剂加入到刻蚀反应中，可以有效提升硅片背面的减重，有效提升背面刻蚀的光亮度，均匀度明显提高，有利于后续的丝网印刷提高开路电压，提升晶硅电池的光电转换效率。在低碱环境下，对晶硅片正面保护层腐蚀小，可以有效提升电池片的短路电流，提升晶硅电池的光电装换效率。
本发明授权低碱晶硅刻蚀液添加剂、刻蚀液及方法在权利要求书中公布了：1.一种低碱晶硅刻蚀液，其特征在于，包含低碱晶硅刻蚀液添加剂和低碱基础液，所述低碱晶硅刻蚀液添加剂按质量百分比计，包括：葡萄糖为0.1-3.0%，乳酸钠为2-5%，苯磺酸钠为8-15%，盐酸为0.1-1%，含磺酸根表面活性剂为5-8%，余量为水；所述含磺酸根表面活性剂为全氟辛基磺酸钠；所述低碱基础液为含氢氧化钠0.2-1%水溶液，或含氢氧化钾0.3-1.5%水溶液。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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