浙江驰拓科技有限公司何世坤获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利单一基片全桥TMR磁场传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119758200B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411767108.3，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权单一基片全桥TMR磁场传感器及其制备方法是由何世坤;王耀华;宫俊录;陈明博设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本单一基片全桥TMR磁场传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种单一基片全桥TMR磁场传感器及其制备方法，包括：连接成全桥结构的四组MTJ器件，一对相对桥臂上的两组MTJ器件位于基片的第一区域，另一对相对桥臂上的两组MTJ器件位于基片的第二区域，其中，第一区域的两组MTJ器件具有第一堆叠结构，包括从下到上依次堆叠的第一钉扎层、耦合转变层、第一参考层、第一势垒层和第一自由层；第二区域的两组MTJ器件具有第二堆叠结构，包括从下到上依次堆叠的第二钉扎层、第二参考层、第二势垒层和第二自由层。本发明只需通过一次外磁场磁化，即可获得两种不同磁化方向的MTJ器件。
本发明授权单一基片全桥TMR磁场传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单一基片全桥TMR磁场传感器，其特征在于，包括：连接成全桥结构的四组MTJ器件，一对相对桥臂上的两组MTJ器件位于基片的第一区域，另一对相对桥臂上的两组MTJ器件位于基片的第二区域，其中， 第一区域的两组MTJ器件具有第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括从下到上依次堆叠的第一钉扎层、耦合转变层、第一参考层、第一势垒层和第一自由层，所述耦合转变层为含Co的表现为反铁磁耦合的磁性层，使得所述第一参考层与所述第一钉扎层具有相反的磁化方向； 第二区域的两组MTJ器件具有第二堆叠结构，所述第二堆叠结构包括从下到上依次堆叠的第二钉扎层、第二参考层、第二势垒层和第二自由层； 其中，所述第一钉扎层和所述第二钉扎层具有磁化方向相同的垂直磁化，所述耦合转变层和所述第一参考层均具有垂直磁化且磁化方向与所述第一钉扎层的磁化方向相反，所述第二参考层具有垂直磁化且磁化方向与所述第二钉扎层的磁化方向相同，所述第一自由层和所述第二自由层具有面内磁化。
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