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龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利一种GaN基增强型HEMT器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767724B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411970375.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种GaN基增强型HEMT器件结构及其制作方法是由尹杰;雷嘉成设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN基增强型HEMT器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种GaN基增强型HEMT器件结构及其制作方法，其中，势垒叠层包括自下而上依次叠置的第一插入层、第一势垒层、第二插入层、第二势垒层、第三插入层及第三势垒层，其中，第二插入层作为沟槽刻蚀时的刻蚀停止层，沟槽区域的势垒层厚度变小，可以降低P型GaN部下的2DEG浓度，提高器件的阈值电压；第三插入层作为图形化P型GaN层时的刻蚀停止层，可以降低势垒层的过刻蚀深度，提高势垒层的留存厚度，减少电子隧穿到势垒层表面的概率；第三势垒层的存在能够有效防止第三插入层被刻穿，避免钝化层与第二势垒层直接接触，能够进一步减少界面陷阱。本发明实现了厚势垒层与势垒层表面缺陷的优化，有助于提升器件的性能和可靠性。

本发明授权一种GaN基增强型HEMT器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基增强型HEMT器件结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一基底，所述基底的一面具有沟道层，所述沟道层包括未掺杂的GaN层； 形成势垒叠层于所述沟道层上，所述势垒叠层包括自下而上依次叠置的第一插入层、第一势垒层、第二插入层、第二势垒层、第三插入层及第三势垒层； 进行刻蚀以形成沟槽于所述势垒叠层中，所述沟槽的底部停止于所述第二插入层； 形成P型GaN层，所述P型GaN层覆盖所述势垒叠层的顶面及所述沟槽的内壁； 进行刻蚀以图形化所述P型GaN层，得到P型GaN部，所述P型GaN部至少覆盖所述沟槽的底壁，所述P型GaN部周围的被刻蚀区域停止于所述第三插入层； 形成钝化层，所述钝化层覆盖所述P型GaN部，并覆盖所述第三插入层的显露表面； 形成栅电极及分别位于所述栅电极两侧的源电极与漏电极，所述栅电极贯穿所述钝化层并与所述P型GaN部接触，所述源电极与所述漏电极贯穿所述钝化层并与所述第三插入层接触。

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